(3.15)
Отсюда находим
= -
(3.16)
Плотность электрического тока, по определению, есть
(3.17)
где —средняя концентрация электронов
проводимости в элементе d
, которая выражается через функцию распределения следующим образом:
d
=
=
(3.18)
Отсюда получаем
=
(3.19)
Используя (3.16),
находим выражение для :
=
(3.20)
Для вычисления
.интеграла в (3.20) можно перейти от интегрирования по к интегрированию по dε. Такой переход осуществляется с
помощью следующего приема (подробнее см. [8, 12]). Рассмотрим закон дисперсии ε = ε(
). В пространстве выделим поверхность,
соответствующую условию
ε() = ε = const. Тогда вычисление
интеграла по
будет соответствовать интегрированию
вдоль поверхности Sε:
ε() = const и интегрированию в
направлении, перпендикулярном этой поверхности (см. рис. 3.1), т. е. будем иметь
(3.21)
оде — основание элементарного цилиндра на поверхности Sε;
— изменение волнового вектора вдоль нормали к поверхностям ε(
) и ε(
) + dε(
) (см. рис. 3.1).
Градиент функции ε(
)
в k-пространстве также направлен вдоль нормали к поверхности ε(
) = const. Таким образом,
можно записать, что dε =
|
| (
) . Отсюда получаем
=dSεdε/|
|. Поскольку по определению, |
|=|
| — групповая скорость, a ε =
ω, то
=
. Следовательно, получаем следующее полезное
соотношение:
(3.22)
Величина ν(ε) =-носит название плотности электронных состояний. Покажем, что она
совпадает с величинойν(ε) введенной в первой
части пособия другим способом
Рис. 3.1
Действительно,
принимая изотропный закон дисперсии ε()==
, имеем
ν(ε) = =
(3.23)
Здесь использовано,
что для изотропного закона дисперсии интегрирование по поверхности ε() = const дает ее площадь 4πk02 (поверхность ε=const в этом случае является
сферой, причем
vg=
k0/m*). Нетрудно видеть, что
(3.23) совпадает с полученным ранее (см. первую часть пособия) соотношением ν*(ε)=
.
Используя (3.22), запишем (3.20) в едде
= -
(3.24)
Рассмотрим для конкретности случай металлов или вырожденных
полупроводников, для которых возможно явное вычисление (3.24). Для равновесной функции
распределения в этом случае, как показано в первой части
пособия, возможно
приближенное равенство
= 8(ε-μ), где 8(х) —дельта-функция.
Следовательно, из (3.24) получаем закон Ома:
= -
(3.25)
Таким образом, в не очень сильных полях для указанных твердых тел всегда имеет место линейная связь тока с полем (3.25). Можно записать (3.25) в виде
ji(e)=σikEk,(3.26)
где σik носит название тензора
электропроводности. Отметим, что в изотропных твердых телах, а также в
кубических кристаллах величина σik становится скаляром.
Кроме того, если, то
=v2/3, откуда находим
=
E =
(3.27)
Отсюда величина есть
=
(3.28)
Ниже будут проведены оценки величины электропроводности для различных механизмов рассеяния.
Теперь перейдем к рассмотрению вклада электронов в теплопроводность. В этом случае необходимо считать твердое тело неоднородно нагретым, поэтому имеем из (3,5)
(
)
=
(3.29)
Отметим, что здесь
необходимо оставить член, пропорциональный , поскольку химический
потенциал μ(Т) зависит от температуры и при наличии
имеется и
. Из (3.29) получаем для функции
=
τ(ε)(
)
(3.30)
Общее выражение для потока тепла электронов есть
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.