(3.15)
Отсюда находим
= - (3.16)
Плотность электрического тока, по определению, есть
(3.17)
где —средняя концентрация электронов проводимости в элементе d, которая выражается через функцию распределения следующим образом:
d= = (3.18)
Отсюда получаем
= (3.19)
Используя (3.16), находим выражение для :
= (3.20)
Для вычисления .интеграла в (3.20) можно перейти от интегрирования по к интегрированию по dε. Такой переход осуществляется с помощью следующего приема (подробнее см. [8, 12]). Рассмотрим закон дисперсии ε = ε(). В пространстве выделим поверхность, соответствующую условию
ε() = ε = const. Тогда вычисление интеграла по будет соответствовать интегрированию вдоль поверхности Sε:
ε() = const и интегрированию в направлении, перпендикулярном этой поверхности (см. рис. 3.1), т. е. будем иметь
(3.21)
оде — основание элементарного цилиндра на поверхности Sε;— изменение волнового вектора вдоль нормали к поверхностям ε() и ε() + dε() (см. рис. 3.1). Градиент функции ε() в k-пространстве также направлен вдоль нормали к поверхности ε() = const. Таким образом, можно записать, что dε = || () . Отсюда получаем =dSεdε/||. Поскольку по определению, ||=|| — групповая скорость, a ε = ω, то =. Следовательно, получаем следующее полезное соотношение:
(3.22)
Величина ν(ε) =-носит название плотности электронных состояний. Покажем, что она совпадает с величинойν(ε) введенной в первой части пособия другим способом
Рис. 3.1
Действительно, принимая изотропный закон дисперсии ε()==, имеем
ν(ε) = = (3.23)
Здесь использовано, что для изотропного закона дисперсии интегрирование по поверхности ε() = const дает ее площадь 4πk02 (поверхность ε=const в этом случае является сферой, причем vg=k0/m*). Нетрудно видеть, что (3.23) совпадает с полученным ранее (см. первую часть пособия) соотношением ν*(ε)=.
Используя (3.22), запишем (3.20) в едде
= - (3.24)
Рассмотрим для конкретности случай металлов или вырожденных полупроводников, для которых возможно явное вычисление (3.24). Для равновесной функции распределения в этом случае, как показано в первой части пособия, возможно приближенное равенство = 8(ε-μ), где 8(х) —дельта-функция. Следовательно, из (3.24) получаем закон Ома:
= - (3.25)
Таким образом, в не очень сильных полях для указанных твердых тел всегда имеет место линейная связь тока с полем (3.25). Можно записать (3.25) в виде
ji(e)=σikEk,(3.26)
где σik носит название тензора электропроводности. Отметим, что в изотропных твердых телах, а также в кубических кристаллах величина σik становится скаляром. Кроме того, если, то =v2/3, откуда находим
= E = (3.27)
Отсюда величина есть
= (3.28)
Ниже будут проведены оценки величины электропроводности для различных механизмов рассеяния.
Теперь перейдем к рассмотрению вклада электронов в теплопроводность. В этом случае необходимо считать твердое тело неоднородно нагретым, поэтому имеем из (3,5)
() = (3.29)
Отметим, что здесь необходимо оставить член, пропорциональный , поскольку химический потенциал μ(Т) зависит от температуры и при наличии имеется и . Из (3.29) получаем для функции
= τ(ε)() (3.30)
Общее выражение для потока тепла электронов есть
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.