4.7.9.Определить эффективность эмиттера в n-p-n -транзисторе, толщина эмиттера и базы в котором мала по сравнению с диффузионной длиной. Удельное сопротивление областей эмиттера и базы равны 0,05 и 1,2 Ом*см, а их толщина 15 и 5 мкм.
4.7.10. Определить постоянный ток базы для p-n-p -транзистора при температуре 300 К. Током утечки перехода база-эмиттер можно пренебречь. Ток коллектора 1 мА. Время жизни носителей τn=1,7*10-6 c, подвижность дырок Up=0.2 м2/(Вс), толщина базы W=10-5 м.
4.7.11. Удельное сопротивление материала эмиттера германиевого
p-n-p -транзистора равно 10-4 Ом*м. Ширина базы W=10-4м , её удельное сопротивление 0,05 Ом*м, τp =300 мкс, τn=20 мкс. Определить коэффициент усиления по току в схеме с общей базой и время прохождения неосновных носителей через базу, если подвижности электронов и дырок равны 0,135 и 0,048м2/(Вс) соответственно.
4.7.12. В n-p-n - транзисторе с одинаковой площадью переходов S=10-6м на эмиттерном переходе избыточная концентрация электронов равна 1020м-3.
В области базы концентрация линейно падает до 0 на коллекторном переходе. Определить ток коллектора, если толщина базы W= 2*10-5м, подвижность электронов при комнатной температуре равна 0,39 м2/(Bc)
Рассмотренные в данном пособии основы теории кинетических, контактных и поверхностных явлений в полупроводниковых структурах необходимы для усвоения дисциплин “Физические основы микроэлектроники и Физика твёрдого тела”. Физические принципы рассмотренных явлений лежат в основе работы широкого класса приборов полупроводниковой электроники и определяют перспективы их развития. Поэтому знание этих принципов и владение методами практического их использования имеет важное значение для подготовки специалистов в области электроники.
Объём пособия не позволяет охватить всего многообразия физических процессов, протекающих в полупроводниковых структурах. Поэтому основное внимание уделено рассмотрению практических примеров для наиболее важных из них.
Ряд приведённых задач предназначен для расчётных заданий при выполнении курсовых работ, для практических занятий, а также для самостоятельного решения.
Списки основной и рекомендуемой литературы предназначены для использования в процессе подготовки курсовой работы и углублённого самостоятельного изучения предмета.
1. Епифанов Г.И., Мома Ю.А. Твёрдотельная электроника. - М.:
Высшая школа, 1986. - 304с.
2. Епифанов Г.И. Физика твёрдого тела. - М.: Высшая школа,
1977. - 288с.
3. Штернов А.А. Физические основы конструирования, технологии РЭА и микроэлектроники. - М.: Радио и связь, 1981. - 248с.
4. Маллер Р., Клейминс Т. Элементы интегральных схем. - М.:
Мир, 1989. - 630с.
5. Митрофанов О.В., Симонов Б.М., Коледов Л.А. Физические основыфункционирования изделий микроэлектроники. - М.:
Высшая школа, 1987. - 168с.
6. Линч П., Николайдес А. Задачи по физической электронике.-
М.: Мир, 1975. - 264с.
7. Бонч-Бруевич В.Л., Звягин И.П., Карпенко И.В., Миронов А.Г. Сборник задач по физике полупроводников. - М.: Наука,1968. - 110c.
8. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. -
М.: Высшая школа, 1986. - 464с.
9. Сугано Т., Икома Т., Такэси Ё. Введение в микроэлектронику. - М.: Мир, 1988. - 320c.
10. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. - М.: Мир,1984.
- Том 1,2. - 456с.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.