Физические основы микроэлектроники, конспект лекций, страница 18

                                                                          a

                                                    0                                             Т^-1 

Рис.3.3. Зависимость электропроводности собственного полупроводника от температуры.

Температурная  зависимость  электропроводности  невырожденных  примесных полупроводников, как  и  в  собственных, определяется температурной зависимостью концентрации носителей.  Поэтому качественный характер зависимости s(Т) должен быть аналогичен зависимости n(Т)  (рис.2.6).

                            lns

                                                                  N'''_пр > N''_пр               

                                          d

                                                                      N''_пр >  N'_пр        

                                                           b

                                     a                                   a

                                                   c                 b          N'_пр

                                                                         

                                0                                                                 Т^-1

Рис.3.4. Зависимость проводимости примесного полупроводника от температуры.

На этой графической зависимости можно выделить три характерные области:

ab, bc, cd. Область  ab  соответствует низким температурам и простирается до температуры истощения примеси T_s .  Концентрация  носителей заряда в этой области  описывается  соотношением  (2.26),  а подвижность  определяется,  в основном, рассеянием на примесях и пропорциональна Т^3/2.

         Тогда для электропроводности получим:

где s_on – коэффициент, слабо зависящий от температуры по сравнению  с экс-понентой;

       e_д – энергия ионизации донорной примеси (если полупроводник n-типа).

         В логарифмическом масштабе получим: