Физические основы микроэлектроники, конспект лекций, страница 35

Rд = φT / (I + I0) S

Значение плотности тока I определяем из уравнения вольтамперной характеристики

   [А/м2]

Вычисляем дифференциальное сопротивление

[Ом]


4.3. ФИЗИЧЕСКИЕ ПРИНЦИПЫ РАБОТЫ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА

        Транзистор – усилительный полупроводниковый прибор. При всем многообразии типов и выполняемых функций транзисторы прежде всего являются усилительными приборами с различными принципами усиления сигналов электромагнитной природы.

Усилительными называются приборы, способные усиливать электрическую мощность. Приборы, усиливающие только ток или напряжение, к числу усилительных не относятся. Принцип работы усилительного прибора основан на изменении его активного или реактивного сопротивления под действием сигнала малой мощности.

Биполярный транзистор состоит из двух близкорасположенных друг к другу р-n переходов. По своей структуре он может быть р-n–р или n–p–n типов. На рис. 4.6 приведены упрощенная модель биполярного р-n–р транзистора и его зонная диаграмма.

                э       1    б      2     к

  Iэ                                                      Iк                                                    p

                                                                                           n

                       n              p           n                                 εc                    n

                                                                                                                 

                                                                                            εF                                 εc

                                                                        Rн