Требуется определить отношение концентраций основных и неосновных носителей тока, диффузионную длину дырок и плотность дырочного тока.
3.6.10. Образец дырочного антимонида индия имеет подвижность электронов 6,2м2 /(В·с) при 290 К. Определить диффузионную длину неосновных носителей заряда, если их время жизни τ=3·10-8с.
4. КОНТАКТНЫЕ И ПОВЕРХНОСТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ
В микроэлектронике исключительно большую роль играют различного рода контакты. Поэтому качество и надежность электронно-вычислительных средств во многом определяются физическими явлениями, протекающими в них.
Все электронные контакты можно классифицировать по различным признакам. Например, линейные и нелинейные, инжектирующие и неинжектирующие, омические и неомические и т.д.
Контакты каждой группы должны отвечать определенным требованиям [I] .
Наиболее широкое практическое применение получили следуюшие контактные системы : полупроводник - полупроводник, металл - полупроводник (диэлектрик), металл – металл. Между этими конструктивными элементами возникает некоторое переходное сопротивление, зависящее от формы контакта, материалов структуры и технологии изготовления. Это сопротивление и определяет роль контакта.
4.1. КОНТАКТ ПОЛУПРОВОДНИК-ПОЛУПРОВОДНИК.
Различают контакты на границе раздела областей с различным типом проводимости в объеме одного полупроводника и контакты на границе раздела двух разнородных полупроводников. Контакты первого типа называют гомопереходами или электронно-дырочные p - n – переходы. Контакты второго типа - гетеропереходами.
Электронно-дырочным переходом называют поверхностный слой между двумя областями полупроводника, одна из которых имеет проводимость p– типа, а другая n– типа. Рассмотрим физические процессы в p - n – переходе с наиболее простым ступенчатым распределением легирующей примеси, как показано на рис 4.1.а.
 |
|||
 |
|||
|
a) б)
 |
|||
 |
|||
|
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.