Физические основы микроэлектроники, конспект лекций, страница 44


          Рис.4.15. Вольт-амперные характеристики МДП –транзистора

Таким образом, МДП -транзистор обладает очень большим входным сопротивлением. Кроме транзисторов с индуцированным каналом существуют транзисторы со встроенным каналом, то есть при нуле­вом напряжении на затворе канал уже существует. МДП –транзисторы могут быть как с каналом p  типа, так и n типа.

К униполярным транзисторам относят также транзисторы с управляющим p-n переходом, структура которых схематически представлена на рисунке 4.16.


 


Рис.4.16.    Структура полевого (канального) транзистора с управляющим p-n  переходом (а) и схема включения его в режиме перекрытия канала (б)

Канал проводимости в таких транзисторах представляет со­бой узкую область в исходном полупроводнике, не занятую обед­нённым слоем p-n переходов. Шириной этой области можно управлять, подавая на p-n переходы обратное смещение. В зависимости от этого меняется сопротивление исток-сток.

Как механизм протекания тока по каналу такого транзисто­ра, так и его выходные характеристики весьма близки к характе­ристикам МДП -транзистора.

4.7. ЗАДАЧИ К РАЗДЕЛУ 4

4.7.1.В германиевом диоде удельное сопротивление n -об­ласти при температуре 300 К равно 10-4 0м*м, p области 10-20м*м. Определить потенциальный барьер на переходе, если концентрация собственных носителей ni=2*1019м-3 подвижности электронов и дырок 0,135 м2/(ВС) и 0,048 м2/(ВС) соответст­венно.

4.7.2.Определить барьерную ёмкость p-n перехода и тол­щину слоя объёмного заряда, если Nд>>Na  Na=1022 м-3  площадь перехода S=3*10-4 м2, потенциальный барьер равен 0,5 В, диэ­лектрическая проницаемость ε=16, внешнее смещение отсутствует.

4.7.3.Определить ток через p-n  переход при внешнем смещении +0,3 В, если

          σp=50 Ом-1м-1  σpn=30   Dp=5*10-3 м2/с    τp=300 мкс   ni=1020 м-3

          Un/Up=2         τpn=2      T=300 K     площадь перехода   S=1 мм2

         Сопротивлением объёма и паразитных утечек пренебречь.

4.7.4. Определить дифференциальное сопротивление p-n-         перехода при прямом смещении U=0.1 В   Т=290 К  Y0=1 А/м2. Площадь перехода S=10-6 м2

 

4.7.5.Определить потенциальный барьер на переходе при Т=300 К в образце кремния с удельным сопротивлением дырочной и электронной областей 0,013 и 44,5 Ом*м соответственно. В кремнии подвижности дырок и электронов равны 480 и 1400 см2/(Вс), а концентрация собственных носителей составляет ni=1.6*1016 м-3

4.7.6. Определить ёмкость и толщину обеднённого слоя при обратном напряжении смещения 20 В, если ε=16, Na=4*1021м-3,NД=2*1021м-3 потенциальный барьер равен 0,5 В, площадь контакта равна 10-6м.

4.7.7.Оценить толщину обеднённого слоя в полупроводнике и толщину слоя металла, в котором находятся избыточные носите­ли, если расстояние между образцами порядка постоянной решётки (10-7 см). Разность работ выхода составляет 1 ЭВ, а концентрация электронов в полупроводнике и металле 1014 и 1022 см-3соответственно.

4.7.8.Транзистор имеет следующие параметры: эффективность эмиттера 99 %, коэффициент переноса 99,5 %, эффективность кол­лектора 100 %. Определить ток коллектора, если ток базы равен 20 мкА , а ток утечки коллектор-база при разомкнутой цепи эмитте­ра составляет 1 мкА . Транзистор включён по схеме с общей базой.