ния плотности тока в центре установки. При переходе на новую линию MN делают два замера, со старыми и новыми разносами MN для одних и тех же АВ. Результаты измерений и вычислений записывают в журнал (таблица 1).
Таблица 5. Форма журнала ВЭЗ
№ ВЭЗ |
AB/2 |
MN/2 |
K |
ΔU, мВ |
I, сА |
ρK |
Примечание |
При вычислении ρК следует учитывать то, что ток в питающей линии измеряется в сантиамперах (сА).
По результатам вычислений кажущегося сопротивления строят график который называется кривой ВЭЗ (рис.6). Кривую ВЭЗ строят на специальном билогарифмическом бланке, где по оси абсцисс откладывается АВ/2 в логарифмическом масштабе, а по оси ординат в том же масштабе кажущееся сопротивление ρк.
Обработка полевых мате- Рисунок 6. Полевая кривая ВЭЗ риалов включает проверку правильности записи в журналах, вычисление ρк, построение кривой ВЭЗ на билагорифмическом бланке и перенос ее на кальку.
Анализ кривых ВЭЗ сводится к определению число электрических горизонтов на каждой кривой ВЭЗ и оценке соотношения
45
ТЕМА 5. Обработка данных электрических зондирований
1. Сущность метода ВЭЗ
2. Формулы для расчета ρк и коэффициента установки.
3. Построение кривых ВЭЗ
4. Типы кривых ВЭЗ
Вертикальное электрическое зондирование (ВЭЗ) - это такая модификация метода сопротивлений, с помощью которой измеряется кажущееся удельное электрическое сопротивление установками с разными питающими разносами AB. Увеличение разноса АВ приводит к увеличению глубинности исследования, так как при удалении точки наблюдения от источника отношение плотности тока на глубине к плотности тока на поверхности возрастает. Следовательно, электрическим зондированием изучается изменение геоэлектрического разреза с глубиной.
ВЭЗ применяются для исследования горизонтальнослоистых разрезов т.е. там где геоэлектрический разрез меняется по вертикали и более или менее однороден по горизонтали.
Вертикальные электрические зондирования выполняются в основном четырехэлектродными симметричными установками AMNB. Линия AB называется питающей, линия MN - приемной. Эти линии составляют из полуразносов AB/2 и MN/2. Симметричная четырехэлектродная установка располагается на точке, называемой точкой зондирования, т.е. по выбранному заранее направлению зондирования растягиваются питающая и приемная линии, забиваются питающие и приемные электроды, устанавливаются источники питания и измерительный прибор. Замеряют разность потенциалов ΔU в приемной линии и ток I в питающей линии, рассчитывают коэффициент установки k для данного разноса и по формуле
ρk = k ΔIU k = π AMMN⋅ AN
, где вычисляют кажущееся сопротивление.
Затем увеличивают разносы питающей линии - растягивают провод АВ в обе стороны, оставляя центр установки на месте. Снова производят измерения и расчеты. Затем переходят на
44 правления намагничивания и поэтому симметрична относительно начала координат.
Кривая Za ассиметрична, проведем ее анализ (Рис.4):
Рисунок 4. Вертикальная составляющая аномального магнитного поля над горизонтальным цилиндром
Кривая Za=0 в точках
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.