The temperature of a substrate, while the covering is drawing on it’s surface, страница 44

25.Данилин Б.С. Исследование разряда в магнетронных системах ионного распыления// Эл. техника. Сер. 3, Микроэлектроника, 1977, вып. 3(69), с. 37-44.

26.Данилин Б.С. Магнетронные распылительные системы – универсальный метод получения тонкопленочных структур// Эл. техника. –1983, сер. 6 - №6.

27.Данилин Б.С. Оптимизация параметров напыления с планарным вращением подложки// Эл. техника. Сер. 3, Микроэлектроника, 1973, вып. 2(42), с. 67-75.

28.Данилин Б.С. Получение тонкопленочного профиля// Заруб. эл. техника, 1972, вып. 23, с. 36-56.

29.Данилин Б.С. Применение низкотемпературной плазмы для нанесения тонких пленок. – М.: Энергоатомиздат, 1989.

30.Данилин Б.С. Расчет скорости ионного травления// Эл. техника. Сер. 3, Микроэлектроника, 1974, вып. 4(52), с. 35-37.

31.Данилин Б.С., Киреев Б.Ю., Ястребов В.Г. Оптимизация параметров системы планарного вращения подложек при травлении их трубчатым потоком ионов// Эл. техника. Сер. 3. Микроэлектроника, 1980, вып. 6 (90).

32.Данилин Б.С., Киреев В.Ю. Ионное травление микроструктур. – М.: Советское радио, 1979.

33.Данилин Б.С., Киреев В.Ю. Модель процесса травления материалов в галогенсодержащей газоразрядной плазме// Физика и химия обработки материалов, 1977, №4, с. 8-13.

34.Данилин Б.С., Киреев В.Ю. Энергетическая эффективность процесса ионного распыления материалов и систем для его реализации// Физика и химия обработки материалов, 1979, №2, с. 52-56.

35.Данилин Б.С., Киреев В.Ю., Кузнецов В.И. Травление материалов в галогенсодержащей плазме тлеющего разряда постоянного тока// Эл. техника. Сер. 3. Микроэлектроника, 1980, вып. 4 (88), с.28-32.

36.Данилин Б.С., Киреев В.Ю., Получение максимальной площади с заданной равномерностью пленок в системах с автономными ионными источнтками// Эл. техника. Сер. 3. Микроэлектроника, 1973, вып. 1, с.89-94.

37.Данилин Б.С., Одиноков В.В., Пупко В.А. Оборудование полунепрерывного и непрерывного действия для вакуумного нанесения тонкопленочных элементов интегральных схем// Зарубежная электронная техника. 1975. №2(98), с. 35-52.

38.Данилин Б.С., Сырчин В.К. Исследование магнетронной системы ионного распыления// Физика и химия обработки материалов, 1978, вып. 2, с. 33-39.

39.Данилин Б.С., Сырчин В.К. Магнетронные распылительные системы. – М.: Радио и связь, 1982.- 72 с., ил.

40.Дороднов А.М., Петросов В.А. О физических принципах и типах вакуумных технологических устройств// ЖТФ, 1981, т. 51, вып. 3, с. 504-524.

41.Енохович А. С. Справочник по физике и технике. М.: Просвещение, 1989.

42.Жаринов А.В., Коваленко А.Ю., Коваленко В.А. К теории разряда в скрещенных полях// Прикладная физика, 2001, №4, с. 15-19.

43.Жаростойкие покрытия, осаждаемые в вакууме/ Мовчан Б.А., Малашенко И.С. – Киев: Наук. Думка, 1983.- 232 с.

44.Жуков Е.А., Слепцов В.В., Трофименко К.А. Расчет магнитных систем планарных магнетронов// ICTVE-5, Междунар. научно-техн. конф., Харьков, 2002.

45.Захаров А.Н., Соловьев А.А., Сочугов Н.С. Повышение эффективности цилиндрических магнетронных распылительных систем с вращающимся катодом// Прикладная физика, 2003, №5, с. 41-45.

46.Калашников В.И., Саночкин Ю.В. С структуре анодного эл. слоя в самостоятельном разряде с замкнутым дрейфом электронов//Журнал прикладной механики и технической физики, 1976, №2, с. 9-16.

47.Каминский М.А. Атомные и ионные столкновения на поверхности металлов. - М.: Мир, 1967.

48.Карвалишвили Н.А., Жаринов А.В. Характеристики разряда низкого давления в поперечном магнитном поле// ЖТФ, 1965. т.35, №12, с. 2194.

49.Киреев Б.Ю., Данилин Б.С., Журавов В.Д. Расчет стационарной концентрации радикалов и скорости травления материалов в плазме газовых разрядов// Химия высоких энергий. 1980. Т. 14. №4, с. 360-365.

50.Киреев В.Ю., Кузнецов В.И. Распределение свободных атомов и радикалов в потоке низко-температурной плазмы// Журн. физ. химии; 1983, т.7, №6.