«Исследование физических свойств твердых тел», методические указания к лабораторным работам, страница 32

2. По Франку и Ван дер Мерве (ФМ) рост пленки начинается с образования двумерных зародышей и происходит последовательным наращиванием моноатомных слоев (рис.2).

При этом, как следует из экспериментальных исследований, для зарождения очередного слоя не обязательно должно происходить заполнение предыдущего слоя. На начальных стадиях рост по ФМ можно рассматривать как продолжение кристалла подложки (по крайней мере, в базисной плоскости). При отсутствии явно выраженных морфологических изменений рост пленки по ФМ сопровождается характерными структурными превращениями. До некоторой критической толщины t_кр, контролируемой энергией упругой деформации, сохраняется слой, аккомодированный посредством упругой деформации (ε₀) до полного устранения несоответствия  параметров а₁ и а₂ кристаллических решеток соответственно подложки и пленки (ε₀ = f₀). При этом практически всегда изменяется тип кристаллической решетки пленки; а наблюдаемое явление называется псевдоморфизмом. При толщине h > h_кр происходит релаксация пленки к нормальной структуре данного материала.

Рис.2. Схема, иллюстрирующая рост пленок по механизму Франка и Ван дер Мерве: а,б – , ; в – ,  d₁ и d₂ – межплоскостные расстояния для сопрягающихся плоскостей подложки и пленки; 1 – подложка; 2 – плёнка.

3. По Кристанову и Страпскому (КС) на поверхности кристалла-подложки вначале происходит послойный рост с образованием двумерных кристаллов толщиной от долей монослоя до нескольких атомных слоев в зависимости от системы подложка-пленка, а на (или в) этом двумерном кристалле образуются дискретные островки-зародыши, и последующий рост пленки происходит как в первом варианте (рис.3.). При этом механизме роста уже на ранних стадиях, до заполнения одного монослоя (Θ < 1. Θ - отношение числа атомов в пленке к числу возможных мест адсорбции - минимумов потенциала подложки) можно наблюдать последовательность структурных переходов по мере увеличения количества адсорбированных атомов.