Степень шероховатости поверхности подложки также оказывает сильное влияние на структуру образующейся пленки. Для получения гладкой поверхности производят термическую полировку стеклянных и других подложек нагревом и оплавлением поверхности. Для устранения микронеровностей иногда на подложку предварительно напыляют слой SiO толщиной 1000 – 10000 Å.
В зависимости от конкретных условий напыления пленки, полученные из одного и того же вещества, могут иметь следующие структуры: монокристаллическую, если вся пленка представляет собой сплошную кристаллическую решетку атомов данного материала; коллоидную (мелкозернистую), состоящую из кристаллов размерами менее 100 Å; гранулярную (крупнозернистую), имеющую кристаллы размерами 1000 Å и более; аморфную – не имеющую кристаллической решетки.
В основу классификации видов роста кристаллических пленок положены качественные морфологические признаки В настоящее время по характерным структурным и морфологическим превращениям, происходящим на всех стадиях роста, выделены три механизма роста тонких плёнок.
1. По Фольмеру и Beберу (ФВ) рост пленки начинается с образования на поверхности твердого тела (подложки) дискретных зародышей-островков (при конденсации в вакууме это комплексы из нескольких атомов); по мере поступления атомов из источника (испарителя) происходит рост островков, их срастание и образование сплошного покрытия (рис. 1); последующий рост - это собственно продолжение нормального роста кристалла в случае монокристаллической пленки и зерен поликристаллической.
а б
Рис.1 Морфологические изменения при росте пленок по механизму Фольмера и Вебера: а – схема последовательных стадий перехода от островковой к сплошной структуре; б – структурно-морфологические изменения при росте пленки Мо на фторфлогопите; четвертая стадия соответствует толщине около 50 нм; 1 – подложка, 2 –пленка.
Рост по ФВ в общем безотносителен к структуре подложки и может реализоваться как на кристаллической, гак и на аморфной подложках. На поверхности монокристалла в зависимости от пары материалов подложка-пленка и условий роста возможно образование как ориентированных (в предельном случае – монокристаллических), так и неориентированных поликристаллических, а для ряда многокомпонентных систем ниже определенных температур подложки – аморфных пленок.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.