Эксперименты
и расчеты показывают, что для многих случаев (а другие мы рассматривать не
будем) поляризованность Р диэлектрика пропорциональна напряженности поля
внутри
диэлектрика:
P = χε0Eвн ,
где
—
коэффициент пропорциональности, зависящим от диэлектрика и называемый
диэлектрической восприимчивостью. Здесь и в дальнейшем под напряженностью поля
внутри диэлектрика Eвн
и аналогичными величинами мы будем понимать напряженность, усредненную по
малому, но содержащему много атомов объему вещества, не интересуясь
микроскопическими вариациями напряженности, связанными с молекулярным
строениями вещества.
Рис. 13
Определим связь между поверхностной плотностью
поляризационных зарядов и
поляризованностью Р. Пусть диэлектрик в форме призмы с ребром L и площадью основания S
находится в однородном внешнем поле напряженностью Е. Вектор
поляризованности Р направлен так же, как и вектор Е и в общем
случае составляет угол а с нормалью к поверхности призмы.
Дипольный момент R всей призмы равен по модулю произведению величины поляризационного заряда на длину призмы L (см. рис. 13):
.
Но дипольный момент всей призмы есть произведение объема призмы на дипольный момент единицы объема, т. е. на поляризованность:
Приравнивая, получаем
откуда
.
Здесь Рn — проекция вектора Р на нормаль n.
Итак, поверхностная плотность поляризационного заряда
диэлектрика, находящегося в электрическом поле, равна нормальной составляющей
его поляризованности. Учитывая связь между Р и
P = χε0Eвн ,
получаем связь между поверхностной плотностью поляризационного заряда и полем внутри диэлектрика:
=
χε0Eвн cos
.
2.4. Напряженность поля внутри диэлектрика.
Пусть диэлектрик в виде бесконечного плоского слоя расположен в однородном электрическом поле так, что его поверхность перпендикулярна вектору Е; другими словами, диэлектрик в точности заполняет область между двумя эквипотенциальными поверхностями однородного поля.
На верхней и нижней поверхности диэлектрика образуются поверхностные поляризационные заряды с плотностью а. Выделим цилиндрическую поверхность, ось которой параллельна вектору Е (см. рис. 14), и применим к ней теорему Гаусса. Поток вектора Е через эту поверхность складывается из потоков через верхнее и нижнее «донышко» (эти потоки, разумеется, имеют разные знаки):
Рис. 14
По
теореме Гаусса этот поток равен деленному на суммарному
заряду, находящемуся внутри цилиндрической поверхности, т. е.
Приравнивая, получаем
Учитывая установленную ранее связь между плотностью поляризационного заряда и напряженностью поля внутри диэлектрика, которая в данном случае имеет вид
=
χε0Eвн , получаем
χEвн=E-Eвн,
откуда выражаем напряженность поля внутри диэлектрика через напряженность внешнего поля:
.
Здесь
буквой обозначена
величина 1+
.Эта величина
называется диэлектрической проницаемостью и ее численное значение зависит от
диэлектрика.
Мы вычислили напряженность поля внутри диэлектрика в
частном случае. Можно доказать следующий общий результат. Напряженность поля
внутри диэлектрика в любой его точке в раз меньше, чем
в отсутствии диэлектрика, если диэлектрик заполняет всю область между двумя
эквипотенциальными поверхностями (если это условие несправедливо, то
напряженность рассчитывается гораздо более сложным образом). В частности, если
все пространство заполнено диэлектриком, то напряженность поля в
раз
меньше, чем была бы в вакууме.
2.5. Вектор электрической индукции и теорема Гаусса для него.
При применении теоремы Гаусса к вектору Е необходимо учитывать все заряды, свободные и поляризационные, находящиеся внутри замкнутой поверхности S:
Вычисление по этой теореме вектора Е для диэлектрика произвольной формы неудобно. Дело в том, что входящий в правую часть поляризационный заряд зависит от того самого поля, напряженность которого нужно найти, от формы диэлектрика и от выбора поверхности S.
Можно доказать, что для вектораD, который по определению равен
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.