35.Арцимович Л.А., Лукьянов С.Ю. Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях. – М.: «Наука», 1972.
36.Барченко В.Т., Новиков А.А. Методика проектирования приборов и устройств высоковольтного тлеющего разряда с анодной плазмой с применением ЭВМ. – Винница: ВПИ, 1989, -59 с.
37.Басыров Р.Ш., Зиганшин Р.Р. К теории аномального тлеющего разряда в скрещенных электрическом и магнитном полях// Вакуумная техника и технология. 1997. Т. 7. № 3. С. 38-40.
38.Басыров Р.Ш., Кашапов Н.Ф., Лучкин Г.С. Модель приэлектродных процессов в магнетронных распылительных устройствах// Прикладная физика, 2003, №5, с. 37-41.
39.Грановский В.Л. Электрический ток в газе. - М.: Наука. 1971. - 544 с.
40.Бишаев А.М., Девашова Л.Н. Приближенные расчеты параметров струи ускорителя с замкнутым дрейфом электронов// Физика и техника высокотемпературного газа. –1991.
41.Барвинок В.А. Управление напряженным состоянием и свойства плазменных покрытий. – М.: Машиностроение, 1990, -384 с.: ил.
42.Ройх И.Л., Колтунова Л.Н. Защитные вакуумные покрытия на стали. - .Машиностроение, 1971, - 19с.
43. А.И. Костржицкий. В.Ф. Карпов, М.П.Кабаченко, О.Н. Соловьева Справочник оператора установок по нанесению покрытий в вакууме Моска Машиностроение 1991 страницы с 50-65 , 112-- 145
44 Технология тонктх пленок: Справочник / Пер. с англ. Под ред. Л. Майселла и Р. Глэнга. М.: Советское радио, 1977. Т. 1, 664 с
45.Кузнецов А.Я. Влияние подложки на свойства пленок. “Оптико - механическая промышленность“, 1959, №7, стр 27.
46. Ройх И.Л., Ярповецкий Л.А. Химическая электронная эмиссия. Успехи химии, 28, 1959, №2, стр. 168-188.
47. Гончарова А.А., Добровольский А.Н. Плазменный ускоритель с анодным слоем для обработки поверхности материалов.17,2006г,стр 147-163.
1.
ХАИ.461п.08.ДП.06.ВО.01. Технологический отсек А1
3;
2. ХАИ.461п.08.ДП.06.СХ.01. структурная схема подачи рабочего и реагентного газа в камеру А1;
3. ХАИ.461п.08.ДП.06.ВО.02 Ускоритель с анодным слоем, ВО А1;
4. ХАИ.461п.08.ДП.06.ВО.03 Магнетронная распылительная система, СБ А1
5. ХАИ.461п.08.ДП.06.СХ.02 Структурная схема технологического процесса, А0
6. ХАИ.461п.08.ДП.06.ВО.04 Технологическая установка ВО, А1
7. Плакат по специальной части А1
8. Плакат: цели, задачиА1
9. плакат: заключения А1
2.4 Расчет вакуумной системы ИПТУ
2.4.1 Выбор размера и материала камеры
Технологическая установка предназначена для нанесения защитно-декоративного покрытия на изделия, установленные на оснастке, которая совершает планетарное вращение в технологическом отсеке.
Для обеспечения необходимых условий проведения процесса чистки поверхности и нанесения покрытий выбираем цилиндрическую форму камеры с вертикальным расположением оси. Такое расположение наиболее приемлемо для операций загрузки и выгрузки деталей. Высота камеры h=0,75м, диаметр – R=1м.
Для очистки используют одну установку на базе ускорителя с анодным слоем, для нанесения покрытия – 4 магнетронные распылительные системы, которые располагаются в горловинах технологической установки, присоединенных к фланцам. Визуальный контроль осуществляется через смотровое окно.
Наиболее приемлемый материал для камеры - сталь Х18Н10Т. Сталь легированная, обезгаживается при температуре Т=400оС, на протяжении времени t=15ч. Данный материал обладает малым газовыделением и высокой прочностью.
Для данного материала
удельное газовыделение: q=1.3×10-4 
.
Внешний объем камеры:
, (2.1)
.
Принимаем толщину стенки камеры d=0.01м;
Внутренний объем камеры:
, (2.2)
.
Находим объем стенок камеры:
, (2.3)
.
Известно, что плотность данной стали r=7900кг/м3; Исходя из этого, определяем массу камеры:
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.