Ионно-плазменная технологическая установка для нанесения защитно декоративного покрытия на изделия широкого потребления, страница 10

Двигатель крепится к фланцу камеры.

Вакуумное уплотнение между крышкой и камерой осуществляется резиновым уплотнителем.

На боковой стенке камеры расположено смотровое окно, которое предназначено для наблюдения и контроля технологического процесса. В верхней части вакуумной камеры располагается система подачи рабочего тела для установки напыления.

Технологические распылительные системы и УАС  своими фланцами крепятся к фланцам вакуумной камеры болтовыми соединениями.

Герметичность всех соединений обеспечивается уплотнительными прокладками из вакуумной резины.

2.4 Расчет вакуумной системы

Расчет вакуумной системы представлен в приложении 1.

2.5 Разработка схемы системы подачи рабочего и реагентного газа ИПТУ

Структурная схема системы, предназначенной для очистки и напыления поверхностей изделий представлена в приложении ХАИ.461п.08.ДП.06.СХ.01.

Система очистки на базе УАС предназначена для ускорения потока плазмы с помощью электрической энергии. Поэтому система подготовки поверхности для осаждения покрытия и система осаждения покрытия состоят из: системы электропитания (СЭП), системы хранения и подачи рабочего тела (СХПРТ), ускорительного блока (УАС), магнетронной распылительной системы (МРС) и системы управления (СУ).

Магнетронная распылительная система – технологический источник материала покрытия и предназначена для осаждения покрытия на различные изделия.

Ускорительный блок – предназначен для преобразования электрической энергии в кинетическую энергию выбрасываемого из него рабочего тела (РТ).

СЭП обеспечивает получение необходимых для питания ускорителя номиналов напряжений, а СХПРТ - хранение рабочего газа аргона и подачу его в ускоритель, а также для хранения реагентного газа азота и подачу его в магнетронную распылительную систему. Функционирование системы очистки поверхности изделий, осаждения покрытия и контроль над ее состоянием осуществляется с помощью СУ[2].

Система хранения и подачи рабочего и реагентного газов (СХПРТ) предназначена для хранения и подготовки соответствующего фазового состояния, а также для дозировки и подачи рабочего вещества (13) в ускоритель и магнетронную распылительную систему (8).

Основным элементом системы хранения является баллоны с рабочим и реагентным газом.

Система подачи может быть разделена на систему дросселирования и систему регулирования.

Система дросселирования обеспечивает понижение давления до заданного уровня и включает редуктор (11) и ресивер (3) (промежуточную ёмкость в магистрали подачи, в которой понижается и поддерживается давление на заданном уровне).

Система регулирования обеспечивает требуемый массовый расход на выходе. Она включает в себя такие элементы, как регуляторы расхода (6), обеспечивающие заданные расходы в элементы двигателя, электроклапаны (1).

Работа данной системы для очистки начинается операцией вакуумирования, имеющей целью сброс консервационного давления из магистралей подачи рабочего вещества. На короткое время открываются ручной клапан (12). Газ поступает в редуктор и давление газа в тракте понижается, далее открывается  электроклапан (1) для того, чтобы давление технологического газа в трактах снизилось до значения, когда его оставшееся количество не влияет на параметры ускорителя. Далее рабочее вещество попадает в канал подачи рабочего газа в вакуумную камеру, который состоит из электроклапана (22),ресивера (3), датчика давления (4), фиксирующего давление в ресивере, электроклапана (23) и регулятора расхода (5). После открытия электроклапана, ресивер заполняется рабочим телом до максимального давления, контролируемого датчиком давления ДД (4). По достижении в ресивере максимального давления, ЭК1 закрывается и давление в ресивере начинает падать до минимального значения, затем электроклапан открывается.

Попадая в систему регулирования, рабочее тело, пройдя через электроклапан, поступает в технологическую камеру, а далее в анодный тракт подачи и на катод-компенсатор, следуя в ускорительный блок к катоду-компенсатору (6) и аноду- коллектору (16).