Ионно-плазменная технологическая установка для нанесения защитно декоративного покрытия на изделия широкого потребления, страница 27

В результате вычисления по формуле (7.3), получаем:

 (Ом).

Число вертикальных заземлителей с учётом коэффициента использования определяется следующим образом:

,

(7.4)

где: hтр – коэффициент использования заземлителей из труб без учёта влияния полосы связи между ними, hтр = 0,7.

Тогда из формулы (7.4) получаем:

 (шт).

Принимаем n = 8 шт.

Определение длины стальной соединительной полосы по формуле:

lп = 1,05×2×lтр×n.

(7.5)

В результате вычисления по формуле (7.5), получаем:

lп = 1,05×2×1,5×8 = 25,2 (м).

Сопротивление растеканию тока стальной соединительной полосы Rп можно определить по формуле:

,

(7.6)

где: b – ширина стальной полосы, b = 0,05 м.

Тогда из формулы (7.6) получаем:

 (Ом).

Общее сопротивление растеканию тока заземления Rзо можно определить по следующей формуле:

,

(7.7)

где: hп – коэффициент использования соединительной полосы, hп = 0,45.

В результате вычисления по формуле (7.7), получаем:

 (Ом).

Поскольку общее сопротивление растеканию тока заземления.

Rзо = 1,83 Ом меньше допустимого Rз = 4 Ом, то защитное заземление спроектировано верно [18].

Исходя из выше изложенных требований по технике безопасности, можно сформулировать следующие требования по организации участка [18]:

a)  вакуумная технологическая установка должна располагаться в отдельном помещении;

b)  вход с улицы не допускается;

c)  пол выложен плиткой или застелен линолеумом или другим материалом;

d)  стены выложены плиткой, а потолок покрашен масляной краской;

e)  общее освещение желательно осуществлять газоразрядными лампами; освещенность не менее 3000 лк;

f)  установка оборудования, мебели, в том числе и рабочих столов, должно позволять проведению влажной уборки не реже одного раза в неделю.

После проведения расчетов получили сопротивление Rзо = 1,83 Ом, которое меньше допустимого Rз = 4 Ом, то защитное заземление рассчитано и спроектировано верно [18].


8 ОПРЕДЕЛЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОГО РЕЖИМА ПОДЛОЖКИ ПРИ НАНЕСЕНИИ ПОКРЫТИЯ С ПОМОЩЬЮ МРС В ИПТУ

8.1 Актуальность проблемы. Постановка задачи

Температура подложки при нанесении на нее покрытий является важным фактором, определяющим основные свойства покрытий - внешний вид, структуру, адгезию и механические свойства. При нанесении покрытий поверхность основы в зоне напыления нагревается. Контролируемый нагрев детали улучшает свойства покрытий и позволяет регулировать физико-химическое взаимодействие материалов основы и покрытия в момент напыления. При ионно-плазменном напылении в вакууме температура поверхности оказывает решающее влияние на скорость поверхностной миграции атомов и определяет вероятность ряда процессов, протекающих при формировании покрытия. Вместе с тем перегрев системы ограничивает интенсификацию процессов роста покрытия, а в ряде случаев приводит к ухудшению адгезии вследствие образования диффузионных слоев или химических соединений на границе покрытие – подложка и изменению физико-механических свойств основы (отпуск, рекристаллизация) [1].

Чрезмерное повышение температуры подложки при нанесении на нее покрытий нежелательно, поэтому важным является анализ причин, вызывающих такой нагрев, и поиск путей стабилизации температуры подложки. Не известно, существует ли в настоящее время достаточно полная и обоснованная методика определения теплового режима подложки при нанесении покрытий методами ионно-плазменных технологий, проведен ли анализ теплового режима подложки при нанесении покрытий. Чаще всего оптимальный температурный режим определяется в результате проведения ряда экспериментов.