Создание обучающей системы автоматизированного проектирования маломощных электромеханических следящих систем, страница 25

Из расчетов очевидно, что I_к-макс < I_к-доп=2 А.

Из всего вышесказанного можно заключить, что данный транзистор удовлетворяет необходимым условиям и можно приступать к дальнейшим расчетам.

Определим максимальный ток базы по формуле

.

Зная I_б-макс = 0.94мА находим по входным характеристикам из справочника значение напряжение базы U_бэ.спр=0.4 В. Берем максимальное напряжение база эмиттер с запасом:

.

Найдем максимальную входную мощность по формуле:

.

Теперь определим выходные параметры источника питания. При этом будем учитывать, что транзисторы не идеальные, следовательно, на открытом транзисторе падает напряжение насыщения (U_кэ-нас=2.6 В).

                (14)

 А                                                                          (15)

                     (16)

Уточненная мощность рассеяния на транзисторе (P_{расс-ут}) определяется по формуле (17):

                                                (17)

где P_доб- добавочная мощность, обусловленная током утечки (I_ут )на закрытом транзисторе.

Ток утечки (I_ут) равен обратному току коллектора (I_к-обр.), т.к. рабочая температура транзистора выбрана равной температуре, для которой дано значение обратного тока коллектора. Добавочная мощность вычисляется по формуле:

Зная Р_доб, можно окончательно рассчитать Р_{расс-ут.} по формуле (17):

Т.к P_{расс-доп}<P_рас-тр (0.53<1.81), то теплоотвод не нужен. Ниже, в таблице 2.5, приводятся значения величин, которые понадобятся далее.

Таблица 2.5 – Рассчитанные величины выходного каскада

2.3.12.2 Расчет цепи усиления напряжения

Так как входная мощность каскада есть Р_{вх-макс}=0.38 мВт, а КПД трансформатора , то выходная мощность микросхемы должна удовлетворять условию:

P_{МСвых.макс}>, где P_вх-тр – входная мощность трансформатора;

P_{МСвых.макс} – выходная мощность микросхемы, вычисляется по формуле (18).

Следовательно, условие выбора микросхемы: P_{МСвых.макс} > 0.48 мВт.