Рис. 7.8. Зависимости реактивных сопротивлений индуктивности и емкости (а), модуля комплексного входного сопротивления (б) и аргумента (в) последовательного контура от частоты
1.При изменении частоты от 0 до ω0 входное сопротивление является резистивно-емкостным и изменяется от ∞ до R, а аргумент изменяется от -90° при ω = 0 до 0° при ω = ω0.
2.При изменении частоты от ω0 до ∞ входное сопротивление является резистивно-индуктивным и изменяется от R до ω, а аргумент изменяется от 0° при ω = ω 0 до 90° при частоте ω, стремящейся к бесконечности.
3. На резонансной частоте ω = ω 0 входное сопротивление является чисто резистивным и равно R, а аргумент равен нулю.
Таким образом, на резонансной частоте напряжение и ток на входных зажимах последовательного колебательного контура совпадают по фазе.
На резонансной частоте ω 0 модуль входного сопротивления контура равен сопротивлению потерь R. Комплексное входное напряжение полностью приложено к R, aток, протекающий в цепи, будет иметь вид
İm=Ům/R=(Um/R)exp(jψu).
С учетом того, что реактивные сопротивления индуктивности и емкости на резонансной частоте равны характеристическому сопротивлению контура, можно найти амплитуды комплексных напряжений на индуктивности и емкости:
Добротность последовательного контура на резонансной частоте равна отношению амплитуды напряжения, падающего на реактивном элементе, к амплитуде напряжения, приложенного к входным зажимам колебательного контура. Откуда
Полученное выражение определяет зависимость добротности последовательного колебательного контура от параметров его элементов. Из него видно, что изменение любого из параметров элементов R, L или С контура может привести как к увеличению, так и к уменьшению его добротности.
В реальных цепях ширина спектра радиосигналов не превышает единиц процентов от резонансной частоты колебательных контуров. С учетом этого определенный интерес представляет зависимость от частоты модуля входного сопротивления последовательного контура в окрестности резонансной частоты.
Комплексное входное сопротивление контура описывается выражением (7.8), в котором частота ω представляет собой частоту генератора напряжения входного сигнала. Пусть резонансная частота контура ω0 = 1 / √(L/С) . Так как Q = p/R и р = ω0L, то выражение (7.8) может быть преобразовано к виду
Zвх(jω)=R[1+j(ω0L/R)(( ω/ω0)-(1/(ωω0CL)))]=R[1+jQ((ω/ω0)-( ω0/ω))] .
Введем понятие обобщенной расстройки
(7.9)
Тогда формула для расчета комплексного входного сопротивления принимает вид
При абсолютных отклонениях частоты источника сигнала от резонансной частоты контура Δω= ω-ω0, удовлетворяющих условию |Δω|«ω0, можно полагать, что ω + ω0= 2ω0. Тогда
Комплексное сопротивление контура принимает вид
Zвх(jω)=R(1+j2Q(Δω/ω0)).
Модуль и аргумент входного сопротивления контура в соответствии с его относительной расстройкой могут быть рассчитаны по формулам:
(7.10)
(7.11)
Из формул (7.10) и (7.11) видно, что чем выше добротность контура, тем круче рост кривых, характеризующих модуль и аргумент входного сопротивления. На рис. 7.9 показаны зависимости модуля и аргумента входного сопротивления последовательного контура от частоты.
Недостатком последовательного контура при его анализе в соответствии с формулами (7.10) и (7.11) является то, что приходится оперировать всеми параметрами элементов контура. Этого можно избежать, рассматривая зависимость модуля и аргумента входного сопротивления контура от обобщенной расстройки ξ.
Под передаточными характеристиками последовательного контура будем понимать АЧХ и ФЧХ контура. Входное напряжение прикладывается к зажимам 1 — 1 (см. рис. 7.7) контура. Выходной сигнал можно снимать относительно реактивного сопротивления как емкости Zc= 1/jωС = (1/ωС)ехр(-jπ/2), так и индуктивности ZL=jωL = ехр(jπ/2). К этим сопротивлениям будут прикладываться выходные напряжения, амплитуды которых Ucи ULимеют равные значения только на резонансной частоте. Тогда АЧХ контура характеризуется отношением амплитудных значений напряжений на реактивном элементе и входе контура Кс(ω) = Uc/Um, kl(ω) = = UL/ Um, a ФЧХ — суммой фаз реактивных сопротивлений емкости или индуктивности и входного сопротивления
а б
Рис. 7.9. Зависимости модуля (а) и аргумента (б) входного
сопротивления контура от частоты
Рис.7.10. АЧХ последовательного колебательного контура
контура ψc(ω) =ψвх(ω)-π/2, ψL( ω) = ψвх(ω)+π/2. Анализ АЧХ последовательного колебательного контура (рис. 7.10) относительно емкости Кс(ω) и индуктивности KL(ω) позволил установить следующие закономерности.
1. Частоты ωс = ω0√(1-(1/(2Q)2) и ωL = ω0/√(1-(1/(2Q)2), на которых Кс(ω) и KL(ω) достигают максимального значения, не совпадают.
2. Максимальные значения Кс(ωс) и KL(ωL) равны между собой.
3. Добротность колебательного контура имеет большое значение (50... 300), поэтому можно считать, что ωс≈ ωL = ω0. Например, при Q= 10 находим ωс = ω0 √(1 -0,0025) ≈ ω0 и
ωL = ω0 √(1 -0,0025) ≈ ω0.
4. Максимальный коэффициент передачи в контуре достигается на резонансной частоте ω 0 и равен добротности контура Ктaх = Q(кривая 2 на рис. 7.10). При расстройке контура от резонансной частоты ω 0 в сторону увеличения или уменьшения частоты АЧХ контура резко снижается.
5. При увеличении сопротивления потерь Rдобротность контура снижается Q= p/R. Максимальное значение коэффициента передачи напряжения на резонансной частоте ω 0 уменьшается пропорционально росту сопротивления потерь R. Кривая, описывающая АЧХ коэффициента передачи, становится более пологой (кривая 1 на рис. 7.10).
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.