Импульсный режим работы передающих устройств осуществляется путем подачи на генератор или усилитель СВЧ в нужный
момент времени прямоугольных модулирующих импульсов напряжения от специальных устройств, называемых импульсными модуляторами.
Импульсный модулятор (рис. 8.19) содержит ограничительный элемент (ОЭ), накопитель энергии
Рис. 8.19
(НЭ) и коммутатор. В сравнительно длинных паузах между импульсами Тп-tм (Тп – период повторения) коммутатор отключает нагрузку Rн и накопитель заряжается током
от источника питания Uи. Под Rн подразумевается эквивалентное сопротивление генератора или усилителя СВЧ. На коротком интервале времени, соответствующем длительности модулирующего импульс tм, коммутатор подключает нагружу и накопитель разряжается током . В этом случае источник питания должен развивать мощность Рист, близкую к средней за период повторения Pср
а не импульсную мощность Ри, потребляемую генератором или усилителем СВЧ, которая обычно велика.
Импульсные модуляторы различают по типу применяемого накопителя энергии, коммутатора и режиму работы. Энергия может накапливаться либо в электрическом поле конденсатора, либо в магнитном поле индуктивности. Наибольшее применение находят емкостные накопители энергии в виде конденсаторов или искусственных линий. Запасенная энергия накопителя может отдаваться в нагрузку полностью или частично. В связи с этим различают
модуляторы с полным и частичным разрядом накопителя.
Если используется полный разряд накопителя, то последним служит искусственная линия, обеспечивающая в нагрузке требуемую форму и длительность модулирующего импульса. В модуляторах с частичным разрядом длительность модулирующего импульса определяется режимом работы коммутатора.
В зависимости от требований к параметрам модулирующих импульсов, конструктивных и эксплуатационных требований к модулятору и РЛС в целом в качестве коммутаторов применяют (электронные лампы, приборы ионного разряда (водородные тиратроны), таситроны, нелинейные индуктивности, тиристоры и др. По типу применяемого коммутатора различают: электронно-ламповые импульсные модуляторы; импульсные модуляторы па водородных тиратронах; тиристорные импульсные модуляторы; магнитные импульсные модуляторы и др.
Для сравнения различных импульсных модуляторов используют их качественные показатели: параметры формы модулирующих импульсов (длительность импульса, фронта и среза, равномерность или величина спада вершины); ток и напряжение в импульсе: коэффициент полезного действия: мощность управления модулятором; время включения (подготовки к работе); надежность, механическая прочность и время непрерывной работы; удобство и простота настройки и эксплуатации; стоимость производства и эксплуатации.
В мощных импульсных модуляторах важным показателем являются также пульсации их зарядного тока и, которые влияют на стабильность первичной сети питания, а следовательно, на режим работы РЛС.
Проведем краткое сравнение различных импульсных модуляторов.
Простейшая схема электронно-лампового импульсного модулятора с частичным разрядом накопителя представлена на рис. 8.20.
В паузах между импульсами подмодулятора лампа Л заперта
отрицательным смещением — Uос . Накопительная емкость Сн от источника через сопротивления Rз и R1 заряжается до напряжения источника Uи. Лампа Л открывается положительным импульсом подмодулятора и замыкает цепь разряда накопительной емкости. Емкость Сн разряжается через Rн, создавая на нем необходимое напряжение. По окончании импульса подмодулятора лампа Л запирается и прекращает разряд через нагрузку Rн емкости Сн. Длительность импульса модулятора определяется длительностью импульса подмодулятора. Чтобы во время импульса лампа Л не шунтировала источник питания, используют достаточно большое сопротивление заряда Rз. Основное назначение резистора R1 — замкнуть цепь заряда накопительной емкости Сн, так как нагрузка модулятора обладает односторонней проводимостью. Во время разряда R1 шунтирует Rн поэтому должно обеспечиваться условие .
Форма импульса такого модулятора близка к прямоугольной (см. рис. 8.21). Длительность фронта и среза импульса определяется паразитными емкостями анод-катод модуляторной лампы Сn1, нагрузки и монтажа Сn2. Величина спада напряжения вершины импульса зависит от величины емкости Сн и длительности импульса tм. При этом относительное уменьшение напряжения на нагрузке за время длительности импульса, вызванное частичным разрядом емкости Сн, равно (рис. 8.21)
где rм —сопротивление модуляторной лампы Л в открытом состоянии. Чтобы снизить величину спада напряжения вершины импульса, используют корректирующую цепочку Lк Cк Rк (рис. 8.20). Действие такой цепочки заключается в следующем.
В начале формирования вершины импульса разрядный ток через индуктивность Lк не проходит, а идет только через сопротивление Rк . В результате напряжение на нагрузке в начале импульса будет меньше, чем было бы при отсутствии корректирующей цепочки. С течением времени ток разряда ответвляется через Lк, в результате падение напряжения на цепочке Lк Cк Rк уменьшается и к концу импульса практически может быть равно нулю, как это показано на рис. 8.21. С целью уменьшения длительности среза импульса параллельно нагрузке вместо R1 часто включают индуктивность L и подавляющий диод Д (см. рис. 8.20). После запирания модуляторной лампы в контуре, состоящем из L и суммарной паразитной емкости Сп, начинается затухающий колебательный процесс. Чем меньше индуктивность L, тем выше частота этих колебаний, а значит и меньше длительность среза модулирующего импульса (рис. 8.21). Однако с уменьшением индуктивности L увеличивается величина спада напряжения вершины пульса. Общее уменьшение напряжения за время длительности пульса вследствие разряда накопительной емкости Сн и роста тока через индуктивность L равно
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.