Физические основы защиты информации от технической разведки, страница 88

q_i~Е

Рис.4.7. Структура ПЗС

На рис. 4.8 представлен пример работы ТВР при малых освещенностях объекта, которая заключается в следующем. Пластины из полупроводника, нанесены на диэлектрик и от каждой идет съемная шина. Уровень заряда q пластины пропорционален освещенности пластины. Размер пластины- 5-7 микрон.

Фактически матрица проецируется на изображение, то есть на приемник. Получаем поле электрических зарядов, величина которого пропорциональна распределению яркости. Так как граница между соседними ПЗС элементами четко очерчена, а каждый элемент имеет собственный шум, то на результирующей картинке получается мозаичная структура. Фон каждого элемента картинки отличается от соседнего. Вместо распределения яркости - распределение интенсивности зарядов.

Рис.4.8. Освещение аппаратуры телевизионной разведки

4.  В отличие от ФР (границы изображения не резкие, т.к. различный размер гранул), в ТВР появляются шумы дискретизации.

Исходная матрица находится в фокусе линзы, когда она проецируется на землю, то образуется квадрат. Уровень зарядов разный, следовательно, элементы матрицы при одинаковой освещенности будут разными. На рис. 4.9 показано распределение потенциала по матрице.

                                                       Е_i

Рис.4.9. Распределение потенциала по матрице

У каждого элемента матрицы есть кривая (Е_i).

Уровень  зависит от размеров, частоты элементов, следовательно, разброс и уровень зарядности будут отличаться и на выходе будет мозаика. Матрица позволяет получить изображение в цифровом виде и можно делать обработку изображения.

5.  Возможность применения алгоритмов цифровой обработки изображения для получения дешифрующих свойств изображения и согласования объема передаваемой информации с характеристиками канала связи, при этом возможно повысить дешифровочные свойства за счет увеличения градиента яркости.