Цифровые устройства и микропроцессорные системы. Задачи и упражнения: Учебное пособие (Представление чисел и арифметические операции в цифровых устройствах. Микропроцессорные устройства и системы на базе МП КР580ВМ80), страница 34

Рис. Р4.21. Временные диаграммы к задаче 4.35

Рис. Р4.22. Временные диаграммы к задаче 4.36

Р4.38. а) Временные диаграммы, поясняющие работу ГНП, приведены на рис. Р4.24;

б) .

Определим g. Подставляя в (4.13) значения i_Cнач @ E_K/R_K, i_Cкон @ (E_K – U_m)/R_K, получаем g = U_m/E_K = 0,1, g = 10 %;

в) увеличение емкости конденсатора С приводит к уменьшению скорости заряда конденсатора, следовательно, к уменьшению U_m. При этом уменьшается значение g. Увеличение сопротивления R_K приводит к уменьшению U_m, так как уменьшается ток заряда конденсатора. При этом уменьшается значение g. Увеличение t_ивх приводит к увеличению U_m, так как увеличивается время заряда конденсатора (T_P = t_ивх). При этом увеличивается значение g;

г) включить вместо R_K между точками а – а стабилизатор тока (рис. Р4.25);

д) включит вместо R_K стабилизатор тока и уменьшить E_K. Источник Е_Ф при этом не нужен.

Рис. Р4.23. Временные диаграммы к задаче 4.37

Рис. Р4.24. Временные диаграммы к задаче 4.38

Рис. Р4.25. Стабилизатор тока

Рис. Р4.26. Временные диаграммы к задаче 4.39

Р4.39. б) Временные диаграммы, поясняющие работу ГНП, приведены на рис. Р4.26;

в) высокая линейность обеспечивается за счет большого усиления операционного усилителя, приводящего к высокой стабилизации тока заряда конденсатора;

г) U_m = U_{m вх}T_P/(RC) = 5×100×10^-6/(20×10³×5×10³×10^-12) = 5 В;

д) при отсутствии шунтирующих сопротивлений g порядка 1/k₀ = 1/2×10³, т.е. g = 0,05 %.

е) шунтирующее сопротивление ухудшает линейность (увеличивает g). Особенно сильно влияет на линейность сопротивление, подключаемое параллельно конденсатору С (сопротивление запертого ключа). По этой причине целесообразно ключ выполнять на полевых транзисторах.

Р4.40. На рис. Р4.27 приведена одна из возможных схем амплитудного селектора импульсов.

Р4.41. На рис. Р4.28. приведены один из возможных  вариантов функциональной схемы устройства (а) и временные диаграммы, поясняющие его работу (б).

Р4.42. На рис. Р4.29 приведена одна из возможных схем амплитудного селектора импульсов.

Р4.43. На рис. Р4.30 приведены одна из возможных функциональных схем селектора импульсов (а) и временные диаграммы, поясняющие работу устройства (б). Расширитель и элемент задержки необходимы для устранения ложных импульсов, вызываемых конечной длительностью фронтов входных импульсов и запаздыванием расширенного относительно входного импульса.

Рис. Р4.27. Амплитудный селектор импульсов к задаче 4.40

Рис. Р4.28. Функциональная схема амплитудного селектора импульсов к задаче 4.41

Рис. Р4.29. Амплитудный селектор импульсов к задаче 4.42

Р4.44. На рис. Р4.31. приведены две из возможных функциональных схем селектора импульсов и временные диаграммы, поясняющие работу устройств.

Рис. 4.30. Функциональная схема амплитудного селектора импульсов к задаче 4.43

Рис. Р4.31. Функциональные схемы селекторов импульсов к задаче 4.44

Рис. Р4.32. Функциональная схема селектора импульсов к задаче 4.45

Рис. Р4.33. Функциональная схема устройства формирования задержанных импульсов к задаче 4.46

Р4.45. На рис. Р4.32 приведены одна из возможных функциональных схем селектора импульсов (а) и временные диаграммы, поясняющие работу устройства (б).

Р4.46. На рис. Р4.33 приведены одна из возможных функциональных схем устройства формирования задержанных импульсов (а) и временные диаграммы, поясняющие работу устройства (б).

Глава 5. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА

В данный раздел включены задачи, связанные с организацией запоминающих устройств (ЗУ) на полупроводниковых микросхемах статического типа. Большинство задач связано с организацией ЗУ на микросхемах ОЗУ и ППЗУ, условные графические обозначения которых приведены на рис. 5.1. Необходимый справочный материал содержится в табл. 5.1 – 5.5, приложении 2 и в [20].

Таблица 5.1. Назначение выводов микросхем ОЗУ КМ132РУ8А, КМ132РУ8Б