Мнемокод |
Описание |
Число слов |
Число тактов |
Пример |
Примечание к примеру |
ABS |
Взятие абсолютной величины содержимого аккумулятора |
1 |
1 |
ABS |
¾ |
ADD |
Сложение с аккумулятором содержимого ячейки памяти данных со сдвигом |
1 |
1 |
ADD 18,3 ADD * – ,4,1 |
ACC¬(ACC)+[18]´23 ACC¬(ACC)+[(AR)]´ ´24, косвенная адресация |
APAC |
Сложение содержимого регистра Р с содержимым аккумулятора |
1 |
1 |
APAC |
ACC¬(P)+(ACC) |
B |
Безусловный переход по адресу, указанному во втором слове команды |
2 |
2 |
В 200 |
Переход к команде, записанной в ячейке 200 программной памяти (PC¬200) |
BANZ |
Переход, если содержимое текущего вспомогательного регистра отлично от 0 |
2 |
2 |
BANZ 100 |
Если (AR)¹0, то AR¬ ¬(AP) – 1 и PC¬100, иначе PC¬(PC)+1 и AR¬(AR) – 1 |
BIOZ |
Переход, если сигнал на входе BIO равен нулю |
2 |
2 |
BIOZ 10 |
Если BIO=0, то PC¬ ¬10, иначе PC¬(PC)+1 |
BGEZ |
Переход, если содержимое аккумулятора больше или равно нулю |
2 |
2 |
BGEZ 300 |
Если (ACC)³0, то PC¬ ¬300, иначе PC¬ ¬(PC)+1 |
BLZ |
Переход, если содержимое аккумулятора меньше нуля |
2 |
2 |
BLZ 50 |
Если (ACC)<0, то PC¬ ¬50, иначе PC¬(PC)+1 |
BZ |
Переход, если содержимое аккумулятора равно нулю |
2 |
2 |
BZ 100 |
Если (АСС)=0, то РС¬ ¬100, иначе РС¬ ¬(РС)+1 |
CALA |
Переход на подпрограмму по адресу из аккумулятора |
1 |
2 |
CALA |
Вершина стека ¬(РС)+ +1, РС¬Разряды 11 – 0 АСС |
CALL |
Непосредственный вызов подпрограммы |
2 |
2 |
CALL 400 |
Вершина стека ¬(РС)+ +1, (РС)¬400 |
DINT |
Запрещение прерываний |
1 |
1 |
DINT |
Бит режима прерываний ¬«1» |
EINT |
Разрешение прерываний |
1 |
1 |
EINT |
Бит режима прерываний ¬«0» |
DMOV |
Содержимое заданной ячейки памяти пересылается в следующую ячейку с большим адресом |
1 |
1 |
DMOV 20 DMOV *+, 0 |
[21]¬[20], [(AR)+1]¬[(AR)]. косвенная адресация |
IN |
Ввод данных из порта |
1 |
2 |
IN 30, 7 IN * –, 7, 0 |
[30]¬(Порт 7), [(AR)]¬(Порт 7), косвенная адресация |
LAC |
Содержимое ячейки памяти со сдвигом влево загружается в аккумулятор |
1 |
1 |
LAC 21,5 LAC *, 3, 1 |
ACC¬[21]´25, ACC¬[(AR)]´23, косвенная адресация |
LACK |
Загрузка аккумулятора непосредственной восьмиразрядной положительной константой |
1 |
1 |
LACK 95 |
Младшие разряды АСС¬95, старшие 24 разряда АСС обнуляются |
LAR |
Содержимое ячейки памяти загружается в указанный вспомогательный регистр |
1 |
1 |
LAR ARO, 22 LAR AR1 * –, 0 |
AR0¬[22], AR1¬[(AR)], косвенная адресация |
LARK |
Загрузка указанного в команде вспомогательного регистра непосредственной 8-разрядной положительной константой |
1 |
1 |
LARK AR0 77, LARK AR1,5 |
Младшие разряды AR0¬77, старшие разряды обнуляются, младшие разряды AR1¬5 |
LARP |
Непосредственная загрузка указателя вспомогательного регистра |
1 |
1 |
LARP 0 LARP 1 |
ARP¬«0» ARP¬«1» |
LDPK |
Непосредственная загрузка указателя страниц |
1 |
1 |
LDPK 1 |
DP¬«1» |
LT |
Загрузка регистра Т |
1 |
1 |
LT 12 LT *, 1 |
Регистр Т¬[12], регистр Т¬[(AR)], косвенная адресация |
LTA |
Команда объединяет в себе команды LT и APAC |
1 |
1 |
LTA 25 |
Регистр Т¬[25]; ACC¬(ACC)+(P) |
LTD |
Выполнение этой команды аналогично одновременному выполнению команд LT, APAC и DMOV |
1 |
1 |
LTD 21 LTD * –, 1 |
T¬[21]; ACC¬(ACC)+(P); [22]¬[21], косвенная адресация |
MAR |
Модификация содержимого вспомогательного регистра |
1 |
1 |
MAP *+, 1 |
В режиме прямой адресации равносильна команде NOP; AR¬(AR)+1; ARP¬«1» |
MPY |
Содержимое ячейки памяти умножается на содержимое регистра Т |
1 |
1 |
MPY 10 MPY *+, 0 |
P¬[10]´(T), P´[(AR)]´(T), косвенная адресация |
MPYK |
Содержимое регистра Т умножается на 13-разрядную константу со знаком, указанную в команде |
1 |
1 |
MPYK –, 9 |
P¬(T) ´ (–9) |
NOP |
Нет операции |
1 |
1 |
NOP |
|
OUT |
Вывод данных в порт |
1 |
2 |
OUT 7, 3 OUT * –,4,0 |
Порт 3¬[7], Порт 4¬[(AR)], косвенная адресация |
PAC |
Загрузка аккумулятора содержимым регистра Р |
1 |
1 |
PAC |
ACC¬(P) |
RET |
Возврат из подпрограммы |
1 |
2 |
RET |
PC¬(Вершина стека) |
SACH |
Запись в память старших 16 разрядов аккумулятора со сдвигом влево на 0,1 или 4 разряда |
1 |
1 |
SACH 12,4 |
Сначала содержимое АСС сдвигается влево на 4 разряда, затем старшие 16 разрядов записываются в ячейку памяти 12 |
SACL |
Записать в память младших 16 разрядов аккумулятора |
1 |
1 |
SACL 13 SACL * –, 1 |
[13]¬(ACC, разряды 15…0), [(AR)]¬(ACC, разряды 15…0), косвенная адресация |
SAR |
Сохранение содержимого, указанного в команде вспомогательного регистра |
1 |
1 |
SAR AR0, 15 SAR AR1, *+,0 |
[15]¬(AR0) [(AR)]¬(AR1), косвенная адресация |
SUB |
Вычитание из аккумулятора содержимого ячейки памяти |
1 |
1 |
SUB 25, 7 SUB *, 9, 0 |
ACC¬(ACC) – (25)´27, ACC¬(ACC) – [(AR)]´ ´29, косвенная адресация |
TBLR |
Пересылка слова из программной памяти данных. Адрес программной памяти определяется содержимым аккумулятора |
1 |
3 |
TBLR 28 |
1. Вершина стека ¬ ¬(РС)+1. 2. РС¬(АСС), [28]¬ ¬(ширина данных). 3. РС¬(Вершина стека) |
TBLW |
Пересылка слова из памяти данных в программную память |
1 |
3 |
TBLW 17 TBLW * –, 1 |
Косвенная адресация |
ZAC |
Обнуление аккумулятора |
1 |
1 |
ZAC |
ACC¬0 |
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.