Английский язык: Методические указания и задания к контрольным работам для студентов специальности «Техническая эксплуатация транспортного оборудования», страница 12

     However, it is impossible for the electron to gain energy from the electric field in insulators and to carry an electric current because of wide energy gap. This is only the case in the electrical breakdown of insulators when an external electric field is so strong that electrons in the filled band gain enough energy to jump the forbidden energy gap and move into the empty band.

     The band model of a semiconductor is similar to that of an insulator with the exception that the forbidden energy gap is quite narrow. This means that a few electrons in the filled band can be pushed through the forbidden energy gap by the thermal energy of the crystal at room temperature. Therefore, only a few electrons can carry an electric current; the material is named intrinsic semiconductor.

     Electrons  and holes. In the conduction band of semiconductors electrons are free to conduct electric current. Jumping of a valence electron into the conduction band is always accompanied by the appearance of a hole. Now let us consider the situation in the valence band after some electrons have left it. These electrons leave behind empty levels. Such empty levels are called holes because they represent empty energy levels in a nearly filled band. In other words, a hole is the vacancy caused by a valence electron breaking its covalent bond and becoming a conduction electron.

     As temperature increases, more heat energy is available and more valence electrons will acquire the necessary energy to jump the forbidden gap into the conduction band. Thus, the resistivity of the semiconductor decreases and more electrons become current carries.

VOCABULARY

semiconductor

полупроводник

solid material

твердый материал

mobile electrons

подвижные электроны

correspond

соответствовать

form

образовывать

adjacent atoms

смежные атомы

interact

взаимодействовать

band

зона

empty band

пустая зона

filled band

заполненная зона

gap

промежуток, область

forbidden energy gap

запрещенная энергетическая зона

overlap

перекрещиваться, перекрываться

conversely

наоборот

consequently

следовательно

travel

двигаться, передвигаться

however

однако

because of

из-за

electrical breakdown

электрический пробой

gain energy

получить энергию

jump

прыгать

similar

аналогичный, аналогично

a few

несколько

push through

проталкивать

thermal energy

тепловая энергия

therefore

поэтому

intrinsic semiconductor

собственный (чистый) полупроводник

hole

дырка

appearance

видимость

valence band

валентная зона

represent

представлять

vacancy

зд.: свободное место

covalent bond

ковалентная связь

acquire energy

приобретать энергию

conduction gap

проводящая зона

resistivity

сопротивляемость

meanwhile

тем временем

neighbouring atom

соседний атом

apparent motion

кажущееся движение

electron-hole pair

электро-дырочная пара

to a large extent

в значительной степени

in such a way that

таким образом, что

are quite free…to travel

могут свободно передвигаться

in response to

зд.: под действием, под влиянием

this is only the case in

этот происходит только при

is similar to that

аналогична модели

with the exception that

за исключением того, что

is always accompanied

всегда сопровождается

leave behind

оставляют за собой

in other words

другими словами, иначе говоря