ГЛ направленного ОС несимметрична относительно начала координат. Как правило, область срабатывания, как и вектор сопротивления защищаемого объекта, полностью или частично располагается в 1-м квадранте комплексной плоскости. Благодаря возможности выбора формы ГЛ и размеров области срабатывания направленный орган сопротивления в большей или меньшей степени может быть адаптирован (приспособлен) к физическим параметрам объекта защиты и к режимам его работы. ГЛ направленного на принципе сравнения модулей двух ЭДС имеет вид окружности, которая в большинстве случаев полностью смещена в 1-й квадрант комплексной плоскости (рис. 4-15,а), то есть проходит через начало координат. Такое расположение ГЛ обеспечивается соответствующим выбором положения «опорных» точек, одна из которых (А)должна находиться в центре окружности, а другая (В) - в бесконечности. Итак, В = ¥, поэтому к1 = 0; с целью упрощения схемы формирования сравниваемых ЭДС принимаем к4 = -к2, к3 = кU, который полагаем чисто вещественным. Точка А располагается на защищаемом направлении, если arg к4/к3 = arg к4/кU = jмч. При кU = 1 А = к4 = - к2 = 0,5 Zу мин, где Zу мин - минимальное сопротивление срабатывания («уставка»), устанавливаемая на трансреакторе ОС. С учетом изложенного уравнения для ЭДС могут быть записаны в виде:
Е1 = 0,5 Zу мин I, Е2 = кU U- 0,5 Zу мин I (4-18)
Для точек, находящихся на границе защищаемой зоны (на ГЛ) ЭДС Е1 и Е2 равны по модулю, поэтому
0,5 Zу мин I = кU U - 0,5 Zу мин I
После деления обеих частей равенства на (кU I) и приведения подобных получаем:
Zср = Zу мин / кU = Zср макс = Zу. (4-19)
Zу мин / кU - диаметр характеристической окружности, смещенной в 1-й квадрант под углом jмч (УМЧ).
Принципиальная схема направленного ОС показана на рис. 4-15,б. Для получения необходимого УМЧ вторичные обмотки трансреактора TAV зашунтированы резисторами R1 и R2.
Характеристика реального ОС не проходит через начало координат, поэтому в начале защищаемого участка есть «мертвая зона» по напряжению. Трансформатор Т2 введен в схему ОС для обеспечения четкой направленности и селективности реле при U = 0 (в частности, при близком к шинам ПС трехфазном КЗ). С помощью Т2, имеющего две вторичные обмотки, в рабочий и тормозной контуры реле вводится небольшая по величине ЭДС «памяти» Еп , благодаря чему при отсутствии напряжения на шинах ПС и, соответственно, на первичной обмотке трансформатора Т1 (UАВ) сохраняется направленность ОС (способность отличать КЗ на защищаемом элементе и КЗ на элементе, смежном с ним, то есть подключенном к тем же шинам). Выражения для сравниваемых ЭДС с учетом Еп при U = 0 принимают вид:
Е1 = Еп + 0,5 Zу мин I,
Е2 = Еп - 0,5 Zу мин I.
Это означает, что направленный ОС с контуром «памяти» при КЗ, сопровождающемся исчезновением напряжения на шинах ПС, работает как ОНМ, с ЭДС, сформированными в соответствии с (4-12). При наличии напряжения на входе Еп не влияет на величину тока в НИ и, следовательно, не искажает работу ОС. Емкость конденсатора, включенного последовательно с первичной обмоткой трансформатора Т2, выбрана из условия резонанса напряжений на частоте 50 Гц, поэтому после исчезновения напряжения на шинах ПС напряжение на первичной обмотке Т2 затухает в течение нескольких периодов. Этого в большинстве случаев достаточно для срабатывания ОС.
- определяются коэффициенты трансформации ТТ (КI) и ТН (КU);
- определяется первичное сопротивление срабатывания (Zсз) защиты;
- определяется сопротивление срабатывания реле (вторичное):
Uсз КI КI
Z,ср = ¾¾¾¾ = Zсз ¾¾ ; (4-20)
КU Iсз КU
- выбирается Zу мин , причем для увеличения модуля ЭДС Е1 и повышения точности и четкости работы ОС при удаленных КЗ из трех значений уставки на трансреакторе принимается, как правило, большее;
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.