(18)
При напряжение на переходе . Следовательно,
(19)
Откуда
(20)
Путем подстановки (20) в (6.18) определим временную характеристику напряжения на переходе:
Из графиков, изображенных в лекции V на рис. 10, следует, что напряжение достигает максимальной отрицательной амплитуды на базе в момент . Поэтому:
(21)
Входная мощность, как следует из рис. 2 расходуется в сопротивлениях и , т.е.
(22)
Часть входной мощности , потребляемая в рассчитывается по формуле (7). Вторая её часть связанная с сопротивлением , обусловлена прямым прохождением мощности в нагрузку через определяется выражением:
(23)
где
С учетом того, что передается в нагрузку, коэффициент усиления по мощности БТ необходимо рассчитывать по формуле:
(24)
Теперь можно записать соотношение, определяющее порядок расчета мощных биполярных транзисторов. Первые восемь формул идентичны выражениям описывающим расчет выходной цепи безынерционного АЭ. Уравнения, определяющие режим мощных БТ имеют следующий вид:
1)
2)
3)
4)
5)
6)
7)
8)
9)
10), ;
11)
12)
13)
14);
15)
16)
17)
18)
19);
20)
21)
22)
23)
В результате имеем 23 уравнения относительно 26 неизвестных. Обычно , и , и их рассчитывают заранее.
Представленные формулы дают возможность быстро рассчитать оптимальный режим транзистора на ЭВМ.
Блок-схема расчета режима мощного БТ.
Блок-схема алгоритма расчета работы транзистора, оптимизация режима которого осуществляется путем изменения угла отсечки и имеет вид:
ЛЕКЦИЯ 7. Методика расчета ГВВ на полевых транзисторах.
Ключевой режим ГВВ. Умножители частоты.
Особенности статических ВАХ полевых транзисторов и их параметры. Порядок расчета выходной цепи АЭ ГВВ. Проблемы расчета входной цепи АЭ ГВВ. Схема и условия, при которых реализуется ключевой режим ГВВ. Временные диаграммы токов и напряжений в ключевом ГВВ. Порядок расчета ключевого режима ГВВ. Практическая схема ключевого ГВВ. Преимущества применения УЧ в РПДУ. Принцип работы, методика расчета, достоинства и недостатки.
Методика анализа режима полевых транзисторов, как биполярных определяется зависимостью их энергетических параметров от частоты и мощности прибора. Маломощные ( Вт) и безинерционные МДП транзисторы рассчитывают с использованием кусочно-линейной аппроксимация статических ВАХ, а входным воздействием считают гармоническое напряжение на затворе , где - напряжение на емкости затвор-канал . Поведение мощных МДП и ПТШ в значительном частотном диапазоне рабочих удовлетворительно описывается зарядовой моделью и поскольку действительная часть их входные сопротивления весьма мала (единицы Ом), то выходным воздействием считается гармонический ток, как и при анализе режимов мощных БТ.
При разработке СВЧ и ГВВ на ПТШ хорошие результаты получаются при использовании аналитических соотношений, полученных в работе [3]. При этом ряд параметров необходимых для расчета получают из статических проходных и выходных ВАХ, изображенных на рис. 1
а б
Рис. 1. Проходные и выходные ВАХ ПТШ.
Если исходными данными для расчета являются выходная мощность и частота , то оптимальным энергетическим режимом, при котором одновременно обеспечивается высокие значения и , является критический режим, при котором первая гармоника выходного напряжения на стоке:
(1)
где - напряжение питания ГВВ; - пороговое напряжение стока; - постоянная составляющая тока стока; - ток насыщения или максимально допустимый ток стока; - угол отсечки.
Если оговаривается максимально допустимое напряжение на стоке , то должно обеспечиваться .
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.