31. Валиев К.А., Пашинцев Ю.И., Петров Г.В. Применение контакта металл-полупроводник в электронике. М.: Сов. радио, 1981. 304 с.
32. Физика и материаловедение полупроводников с глубокими уровнями/ Под ред. В.И. Фистуль. М.: Металлургия, 1987. 176с.
33. Стриха В.И. Теоретические основы работы контакта металл-полупроводник. Киев: Наукова думка, 1974. 263 с.
34. Кюртенс Г., Фавр М. Поверхностные и объемные состояния, определенные методом спектроскопии фототермических отклонений // Аморфный кремний и родственные материалы/ Под. ред. Х. Фрицше. М.: Мир, 1991. С. 223-256.
35. В.И. Архипов, В.М. Логин, А.И. Руденко и др. Формирование активационного барьера на контакте металл-аморфный полупроводник ФТП. 1988. Т.22. Вып. 2. С. 276-281.
36. Вишняков Н.В., Вихров С.П. Модель формирования барьера Ме/a-Si:H с учетом высокой плотности состояний в щели подвижности // Аморфные гидрогенизированные полупроводники и их применение: Ст. тезисов докл. Всесоюзного семинара. Л., 1991. С.41.
37. Вишняков Н.В. Контактные явления в структурах металл-аморфный гидрогенизированный кремний: Автореф. дис. канд. техн. наук. Рязань. 1993. 16 с.
38. К. Чопра, С. Дас Тонкопленочные солнечные элементы. М.: Мир, 1986. 440 с.
39. Вишняков Н.В., Мишустин В.Г., Уточкин И.Г. Расчет профиля потенциального барьера на границе металл - неупорядоченный полупроводник // Вестник РГРТА. Рязань, РГРТА, 2002. Вып. 10. С. 74 – 78.
40. Мишустин В.Г. Дебаевская длина экранирования в аморфном гидрогенизированном кремнии // Тезисы докладов 1-й Российской конференции молодых ученых по физическому материаловедению. Калуга. Изд. дом "Манускрипт", 2001. С. 126-127.
41. Ильченко В.В., Стриха В.И. ВАХ контакта металл – аморфный кремний для экспоненциального распределения плотности локализованных состояний // Физика и техника полупроводников. 1984. Т.18. Вып.5. С. 873-876.
42. Вихров С.П., Вишняков Н.В., Мишустин В.Г., Попов А.А., Бердников А.Е. Характер распределения электрического поля на контакте металл – неупорядоченный полупроводник // Сборник трудов III Международной конференции "Аморфные и микрокристаллически полупроводники". Санкт-Петербург, СПбГПУ, 2002. C. 29.
43. S.P. Vikhrov, N.V. Vishnyakov, V.G. Mishustin, A.A. Popov Speciality of Poisson equation solution and calculation of barrier profile on the interface to non-crystalline semiconductor // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials, 2003. Vol. 5, No. 5, p. 1249 – 1254.
44. Вихров С.П., Вишняков Н.В., Мишустин В.Г., Попов А.А., Черномордик В.Д. Измерение распределения электрического поля в запирающем слое на контакте Me/a-Si:H // Сборник трудов III Международной конференции "Аморфные и микрокристаллически полупроводники". Санкт-Петербург, СПбГПУ, 2002. C. 30.
45. Вихров С.П., Вишняков Н.В., Маслов А.А., Мишустин В.Г. Исследование барьерных структур на неупорядоченных полупроводниках модифицированным времяпролетным методом // Тезисы докладов IV Международной конференции по физико–техническим проблемам электротехнических материалов и компонентов. Москва, Институт электротехники МЭИ (ТУ), 2001. С. 95 – 96.
ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ.................................................................................................................1
Глава 1. ОСОБЕННОСТИ ЭЛЕКТРОННОГО СПЕКТРА В
НЕУПОРЯДОЧЕННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ……………………...3
1.1. Неупорядоченные полупроводниковые материалы…………………...……3
1.2. Плотность энергетических состояний в твердых телах………………...…..6
1.3. Локализованные состояния…………...…………………………………........7
1.3.1. Распределение локализованных состояний………………………..…12
1.3.2. Плотность локализованных состояний…………………………...…..15
1.3.3. Модели описания распределения плотности локализованных
состояний в щели подвижности…………………………………...….16
1.3.4. Заряженные дефектные состояния в неупорядоченных полу-проводниках……………………………………………………………19
1.4. Поверхностные состояния в неупорядоченных полупроводниках………22
1.5. Метастабильные состояния в неупорядоченных полупроводниках..........24
Глава 2. ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ПОТЕНЦИАЛЬНЫХ
БАРЬЕРОВ В НЕУПОРЯДОЧЕННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ……26
2.1. Типы потенциальных барьеров в кристаллических и неупорядоченных полупроводниках..……………………………………………………………26
2.2. Потенциальные барьеры в кристаллических полупроводниках……..……27
2.2.1. Модель формирования потенциального барьера на контакте металл – кристаллический полупроводник…………………...………….………….....27
2.2.2. Механизмы переноса заряда через барьер……..………………….....35
2.2.3. Диодная и диффузионная теории выпрямления на контакте Шоттки в кристаллических полупроводниках…………………….………….36
2.2.4. Теория термоэлектронной эмиссии-диффузии………………...…….40
2.2.5. Теория полевой и термополевой эмиссии……………………...…….42
2.2.6. Постоянная Ричардсона……………………………………………….44
2.2.7. Влияние глубоких центров на параметры ОПЗ………………..…….45
2.2.8. Барьер Мотта………...………………………………………………..46
2.2.9. Классическая модель формирования ОПЗ в p-n- переходах на кристаллических полупроводниках…………............................................48
2.3. Потенциальные барьеры в неупорядоченных полупроводниках………...51
2.3.1. Модель формирования потенциального барьера на контакте металл - неупорядоченный полупроводник……………………………………51
2.3.2. Решение уравнения Пуассона для неупорядоченного полупровод-ника……………………………………………………………………..56
2.4. Барьерные эффекты………..…………………………...……………………63
2.4.1. Фундаментальные ограничения физических размеров барьерных структур…………………………………………………………………63
2.4.2. Эффект Шоттки………………………………………………………..65
Заключение………………………………………………………………………...68
Библиографический список………………………………………………………69
[1] Квазиуровень Ферми – некий принятый уровень, аналогичный уровню Ферми, но использующийся для описания поведения электрона в неравновесных условиях.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.