До настоящего времени исследователи барьеров на аморфных полупроводниках ограничивались модификациями классических диффузионной и диодной теорий, разработанных для идеальных барьеров Шоттки на контакте металла с кристаллическим полупроводником. Однако эти модификации носят частный, конкретизированный характер и неприменимы в общем случае. Поэтому в данный момент перед учеными, специализирующимися в области некристаллических полупроводников, стоит задача разработки новой теории барьеров Шоттки на некристаллических (аморфных) полупроводниках.
Остаются также общие нерешенные проблемы, связанные с физическими процессами, протекающими в диодах Шоттки субмикронных размеров в составе СБИС. До конца не ясны свойства так называемых "тесных" контактов, полученных напылением металла на скол полупроводника в высоком вакууме. У исследователей барьеров Шоттки остается поле деятельности для анализа химического состава металлургической границы между металлом и полупроводником и влияние его на электрофизические свойства барьера.
Следует отметить, что объемные и поверхностные электрически активные состояния, обусловленные высокоэнергетическими дефектами структуры типа "оборванная связь", оказывают значительное влияние на электрофизические свойства материалов, механизмы формирования потенциальных барьеров и токоперенос в этих структурах.
Изучение природы этих состояний, а также их влияния на параметры приборов на основе неупорядоченных полупроводниковых материалов необходимо для получения зависимости плотности состояний и других их параметров от режимов технологического процесса. Это позволит производить корректировку техпроцесса с целью оптимизации параметров получаемых пленок, и, соответственно, для улучшения надежности и эксплуатационных характеристик приборов на неупорядоченных полупроводниках.
Библиографический список
1. Айвазов А.А., Будагян Б.Г., Вихров С.П., Попов А.И. Неупорядоченные полупроводники. М.: Издательство МЭИ, 1995. 352 с.
2. Аморфные полупроводники и приборы на их основе / Пер. с англ.; Под ред. Й. Хамакавы М.: Металлургия, 1986. 376 с.
3. Меден А., Шо М. Физика и применение аморфных полупроводников: Пер. с англ. М.: Мир, 1991. 670 с.
4. Попов А.И., Васильева Н.Д. Критерии упорядоченности атомной структуры некристаллических полупроводников // Физика твердого тела. 1990. Т. 32. Вып. 9. С. 2616 – 2622.
5. Люковски Дж., Хэйс Т.М. Ближний порядок в аморфных полупроводниках // В кн.: Аморфные полупроводники / Под ред. М. Бродски. М.: Мир, 1982. 419 с.
6. Голикова О.А., Кудоярова В.Х. Дефекты, ближний и средний порядок в структурной сетке аморфного гидрированного кремния // Физика и техника полупроводников. 1998. Т. 32. Вып. 7. С. 876 – 878.
7. Вихров С.П., Бодягин Н.В. Новый подход к построению технологических систем на примере роста слоев a-Si:H: Учеб. Пособие. Рязань, 1994. 108 с.
8. П. Ле-Комбер, У. Спир Легированные аморфные полупроводники // В кн.: Аморфные полупроводники / Под ред. М. Бродски. М.: Мир, 1982. 419 с.
9. Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах. кн.1: Пер. с англ. 2-е доп. и перераб. изд. М.: Мир, 1984. 456 с.
10. Физика и материаловедение полупроводников с глубокими уровнями / Под ред. В.И. Фистуль. М.: Металлургия, 1987. 176 с.
11. Орешкин П.Т. Физика полупроводников и диэлектриков. М.: Высшая школа, 1977. 448 с.
12. Губанов А.И. Флуктуационные локальные уровни в аморфных полупроводниках // ФТТ, 1962. Т. 4. № 10. C. 2873-2876.
13. Губанов А.И. Квантово-электронная теория аморфных полупроводников. М-Л:. Из-во АН СССР. 1963. 250 с.
14. Мотт Н., Туз У. Теория проводимости по примесям // УФН. 1963. Т. 79. № 4. С. 691-740.
15. Мотт Н. Электроны в неупорядоченных структурах. М: Мир, 1969. 172 c.
16. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических полупроводниках. В 2-х кн. М: Мир, 1974.
17. Anderson P.W. // Phys.Rev. 1958, v. 109, № 5, P. 1492 – 1505.
18. Нагельс П. Электронные явления переноса в аморфных полупроводниках // В кн.: Аморфные полупроводники / Под ред. М. Бродски. М.: Мир, 1982. 419 с.
19. Н. Мотт, Э. Дэвис Электронные процессы в некристаллических веществах / Пер. с англ. под ред. Б. Т.Коломийца. М.: Мир, 1982. Ч. 1, 2. 662 с.
20. Спир. В. Перенос с участием состояний хвостов зон в аморфном кремнии // В кн.: Аморфный кремний и родственные материалы / Под ред. Х. Фрицше. М.: Мир, 1991. 542 с.
21. Р. Стрит, Д. Бигельсен Спектроскопия локализованных состояний // Физика гидрогенизированного кремния: Вып. II Электронные и колебательные свойства / Под ред. Дж.Джоунопулоса, Дж.Люковски. М.: Мир, 1988. 448 с.
22. Андреев В.П. Репрограммируемые постоянные запоминающие устройства на основе стеклообразных полупроводников. М.: Радио и связь, 1986. 136 с.
23. Н. Мотт. Проводимость, локализация и край подвижности // В кн.: Физика гидрогенизированного аморфного кремния: Вып. II. Электронные и колебательные свойства / Под ред. Дж. Джоунопулоса, Дж. Люковски. М.: Мир, 1988. 448 с.
24. Вихров С.П., Вишняков Н.В., Гусев Д.Н. Барьеры Шоттки на кристаллических и аморфных полупроводниках: Учеб. пособие. Рязань, 1995. 95 с.
25. Y.T. Tsai, K.D. Hong, Y.L. Yuan // Trans. on Comp.-Aided Design of IC & Syst.. 1994. V. 13, № 6, P. 725 – 728.
26. Г. Кюртенс, М. Фавр. Поверхностные и объемные состояния, определяемые методом спектроскопии фототермических отклонений // В кн.: Аморфный кремний и родственные материалы / Под ред. Х. Фрицше. М.: Мир, 1991. 542 с.
27. D.L. Staebler, C. Wronski. Appl. Phys. Lett., 31, 292 (1977).
28. Маллер Р., Кейминс Т. Элементы интегральных схем: Пер. с англ. М.: Мир, 1989. 630 с.
29. Родерик Э.Х. Контакты металл-полупроводник / Пер. с англ.; Под ред. Г.В. Степанова. М.: Радио и связь, 1982. 208 с.
30. Бузанева Е.В. Микроструктуры интегральной электроники. М.: Радио и связь, 1990. 304 с.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.