что увеличивает допустимиую величину открывающей помехи по сравнению с (2.3).
2.2.3. Анализ возможностей управления длительностью этапов переключения диффузионного транзистора
Проведенный анализ позволяет сформулировать общие положения в отношении ускорения процессов переключения транзисторного ключа.
Для сокращения длительности этапа включения следует увеличивать открывающий ток . После перехода транзистора в режим насыщения () этот ток может быть уменьшен до уровня , сохраняющего степень насыщения на уровне . Такое управление открывающим током обеспечивает исключение этапа задержки при выключении транзистора.
На этапе выключения использование выключающего тока обеспечивает сокращение этапа выключения. Необходимая длительность действия этого тока определяется переходом транзистора в отсечку.
Перечисленные требования удовлетворяются при обобщённой форме базового тока (рис.2.11). Здесь величина определяется током , который после перехода в насыщение уменьшается до .
Рис. 2.11
После возможно переключение транзистора в состояние отсечки. Однако, в практических условиях нахождение транзистора в насыщении должно быть достаточно длительным, чтобы этот факт был зафиксирован в схемах-нагрузках, присоединённых к выходу ключа рис.2.2, например, в простейшем случае, чтобы эти схемы успели перейти в отсечку. Для этого длительность открывающего импульса должна превышать несколько единиц от времени включения .
Длительность этапа выключения определяется величиной выключающего тока . В большинстве применений оптимальным условием считается близость длительности переходных процессов (на цифровом языке – переходов и ).
После перехода в отсечку также требуется интервал для переключения схем - нагрузок. Снова используя величину , оценим минимальный период (максимальную частоту) переключения (рис.2.11):
. (2.28)
Схема с ускоряющим конденсатором
Изложенные принципы переключения имитируются в транзисторном ключе рис.2.12. В схеме используется генератор прямоугольного импульса . Полагая для простоты , определим, что ток генератора (рис.2.13а) при включении импульса равен и убывает по мере заряда конденсатора к асимптоте , которую в соответствии с рис.2.11 следует выбрать близкой к току базы насыщения . Постоянная времени заряда по теореме об эквивалентном генераторе равна .
Коллекторный ток нарастает с постоянной времени , стремясь к асимптотичесому уровню . Однако, в отличие от рис.2.8, ток убывает на этапе включения . Избежим поиска решения дифференциального уравнения второго порядка, предположив достаточно большим соотношение постоянных времени и , как показано на рис.2.13б. Тогда коллекторный ток на этапе включения можно представить экспонентой с асимптотой и для использовать формулу (2.24).
(2.29)
Погрешность вычисления согласно рис.2.13 оценивается величиной отношения .
Рис. 2.12
В режиме насыщения кажущийся коллекторный ток (рис.2.13б) переходит от нарастания к спаду вследствие уменьшения токов генератора и базы.. Интервал достижения кажущимся током величины определяет необходимую длительность импульса генератора , при которой исключается этап задержки при переходе в отсечку. По диаграмме определим: .
Рис. 2.13
После выключения генератора в базовой цепи схемы рис.2.12 протекает отрицательный ток, вызванный накопленным зарядом конденсатора (рис.2.13а)
. (2.30)
Уменьшение коллекторного тока происходит по экспоненте с отрицательной асимптотой и время выключения, как в (2.27) равно
(2.31)
Таким образом, схема рис.2.12 реализует все высказанные идеи сокращения интервалов переключения транзисторного ключа и поэтому интересна в процессе обучения. Тем не менее, использование конденсатора, как элемента, занимающего значительный объём конструкции, в микроэлектронных цифровых схемах, содержащих большое количество ключевых элементов, обычно не желательно. Возможные более эффективные решения будут рассматриваться позже.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.