Классификация интегральных микросхем. Исследование ионно-плазменного распыления материалов. Исследование статических передаточных характеристик каскадов на МДП-транзисторов, страница 8

5.7. Удаление забубненного фоторезиста

Задубленный фоторезист может быть удален диметилформомидом, 2...10%  раствором КОН, кипячением в концентрированной серной кислоте, выжиганием в печи в потоке кислорода. Тот или иной метод используется в зависимости от степени задубливания, от материала слоев и других факторов.

5.8. Оценка дефектов при проведении процесса фотолитографии являются:

а) наличие проколов в пленке фоторезиста;

б) неровность пленки по поверхности;

в) наличие клина;

г) неровность края изображения пленки фоторезиста;

д) изменение заданных геометрических размеров.

5.8.1. Наличие проколов в пленке фоторезиста наиболее распространенный вид фотолитографических дефектов. Возникают эти дефекты в результате использования некачественных или из носившихся фотошаблонов, а также от наличия в фоторезисте пылинок и других посторонних включении. Прокопы в пленке фоторезиста могут возникать также в результате перегрева этой пленки при экспонировании. Количество прокопов в значительной степени зависит от качества смачивания поверхности пластины фоторезистом.

5.8.2. Неровность пленки фоторезиста по всей поверхности пластины определяется режимом нанесения пленки и качеством предварительной обработки подложек, влияющих на неровность пленки фоторезиста, являются чистота обработки поверхности, плоскостность, плоскопараллельность. Параметры режима нанесения, которые обуславливают неровность пленки фоторезиста, являются низкая скорость вращения центрифуги, повышенная вязкость фоторезиста. Неровности пленки фоторезиста приводят к трудностям контактирования с фотошаблоном и выбора времени экспозиции.

5.8.3. Наличие клина оказывает существенное влияние на размер диффузионной области в полупроводниковой структуре.

Причинами вызывающими появление клина в фотолитографическом процессе, могут быть неправильно подобранная экспозиция фоторезиста, наличие плохого контакта между пластиной и фотошаблоном при экспонировании, не достаточная оптическая плотность непрозрачных участков фотошаблона, не перпендикулярность падения света на фотошаблон, а также некачественное проявление фоторезиста после экспонирования.

5.8.4. Неровность края изображения пленки фоторезиста появляется в тех случаях, когда плохо подобраны режимы экспозиции и проявления. Мельчайший неровности края в виде периодических выступов и впадин могут возникать из-за наличия в фоторезистах субполимерных частиц размером 0,3...О,5 мкм. Для предупреждения этого дефекта надо тщательно фильтровать фоторезист и проверять качество фотошаблонов.

5.8.5. Изменение заданных геометрических размеров изображения имеет место при плохом контакте между пластиной и фотошаблоном. Кроме того, на изменения геометрических размеров изображения могут оказывать существенное влияние неправильно подобранные режимы экспонирования и проявления.

6 Содержание отчета

6.1. Цель работы

6.2. Схема технологического процесса с указанием  режимов

6.3. Оценка дефектов фотолитографии

6.4. Рекомендации и выводы по выполненной работе.

ПРИЛОЖЕНИЕ I

Технологический процесс фотолитографии представлен схемой на рис. 2.

Литографией называется процесс воспроизведения конфигурации и взаимного расположения элементов изделий на основании путем формирования на его поверхности защитного рельефного покрытия и последующего переноса изображения на это основание. Покрытие должно быть чувствительно к определенному локально действующему активному облучению. В зависимости от вида облучения литографию делят на фото-, электроне-, рентгене- и ионолитографию.

Сущность процесса фотолитографии заключается в следующем. На поверхность материала наносят слой особого светочувствительного материала - фоторезиста. Защитный рельеф образуется в результате того, что под действием света, падающего через маску (фотошаблон) на определенные участки фоторезистивного слоя, последние изменяют свои физико-химические свойства, например, способность в тех или иных растворителях. Это свойство фоторезисторов и используется в дальнейшем для формирования рисунка селективным травлением "засвеченных" или "незасвеченных" участков.