Классификация интегральных микросхем. Исследование ионно-плазменного распыления материалов. Исследование статических передаточных характеристик каскадов на МДП-транзисторов, страница 7

3.3. Оценивать качество полученного рисунка и выявить причины дефектов

4. Технология нанесения фоторезиста на подложку :

– протереть диск центрифуги установки нанесения фоторезиста бязью, дроченой в спирте;

– подключить установку к сети;

– включить пакетный выключатель, находящийся сбоку скафандра;

– включить тумблер освещения и произвести поджиг ламп освещения кратковременным нажатием кнопок "Лампа 1" и "Лампа 2";

– установить на реле времени время вращения центрифуги (30...40 секунд);

– установить необходимое число оборотов центрифуги   (1400...3000 об/мин);

– включить форвакуумный насос, а затем "присос", находящимися на стопе тумблерами;

– очистить пластину и поместить пластину на диск центрифуги рабочей стороной вверх и нанести пипеткой необходимое количество фоторезиста (3...5 капель) в центр пластины;

– нажатием кнопки включить центрифугу;

– после автоматического отключения и остановки центрифуги отключить тумблером вакуум, снять пластину с диска центрифуги;

– произвести сушку фоторезиста в термостате при температуре 50 С в течение 10 минут;

– осуществить контроль покрытия;

– выдержать пластины с фоторезистом на воздухе в обеспыпенном объеме не менее 10 минут.

5. Технология совмещения и экспонирования

5.1. Перед началом работы на установке совмещения и экспонирования типа УСП-0,2, необходимо:

а) тщательно протереть все части установки от пыли;

б) убедиться в надежности заземления и правильном подключении энергосети к установке;

в) в правой стороне установки на пульте управления включить пакетный переключатель "сеть", о чем сигнализирует сигнальная лампочка;

г) на левом пульте включить тумблер "лампа" и кратковременно нажать кнопку "поджиг" до загорания пампы ДРШ - 500, прогреть пампу в течение 15 минут;

д) замерить освещенность и равномерность освещения прибором Ю-16 и по полученным данным выставить время экспонирования по репе времени, находящимся на левом пульте.

5.2. Совмещение:

Вставить шаблон в каретку шабпонодержателя металлизированной стороной вниз и закрепить накладной шаблон с четырьмя гайками; поставить установку в исходное положение:

5.3. Экспонирование

Экспонирующую насадку установки устанавливают в крайнее левое положение. Время экспонирования устанавливается на реле времени, а рассчитывается по формуле: мин,

А - освещенность (измеряется люксметрами), лк ;

К - коэффициент, учитывающий марку фоторезиста (для ФН-7 - К=2 10⁴; для ФП-383 - К = 10⁴).

После окончания экспонирования столик опускается; каретку с фотошаблоном отводят влево, а экспонирующую насадку - вправо.

Выключить вакуум, пинцетом снять пластину и передать на операцию      "проявление"

После окончания работы необходимо:

выключить вакуумный насос и компрессор;

на левом пульте выключить тумблер "лампа" и тумблер выключения подсвета микроскопа;

выключить пакетный переключатель "сеть" на правом пульте.

5 4. Проявление

Проявление фоторезиста произвести в 0,5% растворе КОН в течение нескольких секунд. Контроль проявления - визуальный до получения четких границ рисунков. Не допускать перепроявления. Промывку осуществлять в проточной воде. После промывки высушить на центрифуге в течение 1 минуты.

5.5 Задубливание

Производиться в термостате при температуре 120 ^oC в течении 10 минут

5.6. Травление

Процесс травления производится с цепью удаления окисных пленок, пленок металлов и диэлектриков с цепью получения окон для диффузии, напыления или создания рисунка схемы.

Травление SiO₂ можно проводить, например, в плавиковой кислоте, но при этом происходит подтравливание окисла и образование клина. Для уменьшения этого явления можно использовать буферный травитель следующего состава: 30 NH4F 60 мл Н₂0, 9 мл Н F(40).Окончание травления контролируется визуально по изменению свариваемости полупроводниковой подложки.

Травление алюминия происходит в 40% ортофосфорной кислоты, нагретой до 50...6О°С, а хрома - в разбавленной соляной кислоте (I : I) при контакте поверхности хрома с алюминиевой проволокой.