Классификация интегральных микросхем. Исследование ионно-плазменного распыления материалов. Исследование статических передаточных характеристик каскадов на МДП-транзисторов, страница 3

По степени интеграции ИС подразделяются на ИС малого, среднего и большого уровня интеграции. Согласно ГОСТу предусмотрены следующие определения (4):

Степень интеграции ИМС называется показатель степени сложности микросхемы, характеризуемый числом содержащихся в ней элементов и компонентов.

Степень интеграции определяется формулой:

где К - коэффициент, определяющий степень интеграции и округляемый до ближайшего целого числа, N - число элементов и компонентов, входящих в интегральную микросхему.

ИМС 1 степени интеграции  -  микросхема, содержащая до 10 элементов и компонентов включительно.

ИМС 2 степени интеграции - микросхема, содержащая до 100 элементов и компонентов включительно,

ИМС 3 степени интеграции - микросхема содержащая от 100 до 1000 элементов и компонентов включительно.

ИМС 4 степени интеграции - микросхема содержащая от 1000 до 10000 элементов и компонентов включительно и т.д.

ИМС содержащие более 100 элементов в корпусе называются большими интегральными схемами (БИС). Обычно это сложные устройства, в отличие от простых узлов, реализуемых в виде схем малого уровня интеграции.

По технологии изготовления ИМС подразделяются на три класса:

полупроводниковые, гибридные и пленочные,

Полупроводниковая ИМС - это микросхема, все элементы которой выполнены в объеме полупроводникового материала, а соединения между элементами выполняются на поверхности полупроводникового материала.

Полупроводниковые интегральные микросхемы могут быть выполнены совмещенной технологии, если часть пассивных элементов формировать в виде пленок на поверхности полупроводникового материала.

Гибридные интегральные микросхемы - это интегральные микросхемы, в которых транзисторы, диоды используются как навесные компоненты, а резисторы, конденсаторы формируются в виде плёночных элементов. Соединения внутри схемы делают пленочные. В гибридных интегральных микросхемах могут использоваться навесные конденсаторы и резисторы больших номиналов, а также микроминиатюрные катушки индуктивности.

Выпускаемые чисто пленочные ИС являются пассивными (резистивные делители напряжения, наборы резисторов и конденсаторов). Активные пленочные элементы изготавливаются в настоящее время лишь в лабораторных условиях.

Гибридные и пленочные ИС подразделяются на две группы в зависимости от толщины пленки .Тонкопленочными называют ИС с толщиной пленок до 10 мкм ,а толстопленочными - интегральные микросхемы с толщиной пленок свыше 10 мкм  серия

1                           33               ЛБ                      1

                                                                                    Порядковый номер разработки ИС  по функциональному признаку в серии

                                                          Функциональное  назначение

                                           Порядковый номер разработки серии

        Конструктивно - технологическое  исполнение

серия

      1                           ЛБ              33                       1

                                                                                    Порядковый номер разработки ИС  по функциональному

                                                                                     признаку в серии

                                                            Функциональное  назначение

                                           Порядковый номер разработки серии

Конструктивно - технологическое  исполнение

Рис.1. Примеры построения условного обозначения типа интегральной микросхемы.

Условное  обозначение интегральных микросхем

Различают условное обозначение серии ИМС и условное обозначение одной микросхемы. Система условных обозначений устанавливается ГОСТами, действующими с июля 1974 года.

Серия интегральных микросхем (4) - совокупность типов интегральных микросхем, которые могут выполнять различные функции, имеют единое конструктивно-технологическое исполнение и предназначены для совместного применения. По принятой системе обозначение ИС должно состоять из "4" элементов. Пример условного обозначения ИС приведен на рис.2.