Другие предметы \ Конструирование и технология микросхем и микропроцессоров

Классификация интегральных микросхем. Исследование ионно-плазменного распыления материалов. Исследование статических передаточных характеристик каскадов на МДП-транзисторов, страница 21

– переключателем ВЗ включить нагрузку R5- R6, резистор R6 поставить в крайне левое положение;

– нажатием кнопки КН6 включить mА в цепь нагрузки;

– установить резистор R2 в крайне правое положение;

– изменяя напряжение на входе "С" через 0,2 В, снять зависимость выходного напряжения и тока нагрузки от напряжения на входе "С";

б)

– переключатель ВЗ перевести в верхнее положение;

– нажатием кнопки КН7 включить mА в цепь нагрузки и, поочередно включив переключатели B4-BI2,снять зависимость тока нагрузки от количества подключения входов.

8) Используя результаты п.7,рассчитать нагрузочную способность схемы соответствующему току нагрузки.

По результатам п.7 рассчитать напряжение статистической помехи.

Б) Изучение динамических характеристик.

9) Измерить время нарастания и спада напряжения, для чего:

– переключателем В2 включить генератор импульсов;

– переключатель B1 поставить в верхнее положение;

– резистор R2 в крайне правое положение;

– подключить осциллограф к выходу логической микросхемы;

– измерить время нарастания и время спада выходных импульсов,

10) Определить время нарастания и спада при наличии эквивалентной нагрузки, для чего:

– используя положение п.1, поставить переключатель ВЗ в верхнее положение, а B4-BI2 в нижнее положение. По осциллографу определить нужные параметры импульсов.

11) Измерить средний потребляемый ток и рассчитать среднюю мощность, потребляемую микросхемой, данные сравнить с п.6, для чего:

– нажатием кнопки КН5 подключить mА в цепь питания микросхемы.

Используя данную методику, произвести аналогичные расчеты других логических микросхем (KI55-Л1, К155-Л2, К155-ЛЗ, К155-Л4), сравнить результаты, сделать выводы.

4. СОДЕРЖАНИЕ ОТЧЕТА

4.1. Название отчета.

4.2. Цель работы.

4.3. Содержание пунктов заданий на домашнюю подготовку и на лабораторную работу, оформленные результаты выполнения этих пунктов и выводы по полученным результатам.

5. КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ

1. Определение цифровых интегральных схем. Типы логик.

2. Дать определение параметрам логических микросхем, имеющих размерность напряжения:

– максимальное входное напряжение;

– минимальное входное напряжение;

– помехоустойчивость;

– помехоустойчивость статическая;

– напряжение логической единицы (нуля).

3. Определение параметров, имеющих размерность мощности:

– потребляемая мощность;

– максимально потребляемая мощность;

– потребляемая мощность, в состоянии логической единицы (нуля);

– средняя потребляемая мощность;

4. Определение параметров, имеющих размерность времени:

– время задержки импульса;


Рис. 7. Схема снятия характеристик логических ИМС

– время установки выходного напряжения;

– время перехода интегральной микросхемы из состояния логической единицы в состояние логического нуля;

– время считывания информации.

5. Какими характеристиками определяются параметры ТТЛ.

6. Особенности передаточной характеристики нескольких логических элементов, соединенных последовательно.

7. Методы повышения помехоустойчивости логических микросхем.

8. Влияние напряжения питания и температуры на параметры микросхем.

ЛИТЕРАТУРА

1. Наумов Ю.Е. Интегральные логические схемы. -М.: Сов. радио, 1970.-С.245-273.

2. Алексенко А.Г. Основы микросхемотехники. -М.: Сов. радио, I977.-C.20-27.

3. Алексенко А.Г., Шахурин Н.И. Микросхемотехника. -М.: Радио и связь, 1962.-С.34-42.

4. Аналоговые и цифровые интегральные схемы /Под ред. С.В.Якубовского. -М.: Радио и связь, I984.

5. Интегральные микросхемы. /Под ред. Тарабарина. -М.:

Энергоатомиздат, 1985.

6. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам /Под ред. Н.Н.Горюнова. -М.: Энергия, Г979.

7. Интегральные микросхемы серии K155. -М.: ЦНИиТЭМ приборостроения. 1975.

ЛАБОРАТОРНАЯ PAPOTA №7

"ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ПЕРЕДАТОЧНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК КАСКАДОВ НА МДП-ТРАНЗИСТОРАХ"

1. цель работы

Изучение передаточных характеристик каскада с резистором и  МДП - транзистором в качестве нагрузки и связи этих характеристик с параметрами транзисторов.

2. ПОДГОТОВКА К ВЫПОЛНЕНИЮ РАБОТЫ

Скачать файл