Другие предметы \ Конструирование и технология микросхем и микропроцессоров

Классификация интегральных микросхем. Исследование ионно-плазменного распыления материалов. Исследование статических передаточных характеристик каскадов на МДП-транзисторов, страница 5

КЛАССИФИКАЦИОННЫЕ ПРИЗНАКИ

УСЛОВНОЕ ОБОЗНАЧЕНИЕ ИС

Серия интегральных схем, в которую входит заданная ИС

Технология изготовления данной серии

Функциональное назначение заданной ИС

Класс сигналов, обрабатываемых заданной ИС

Способ изоляции элементов в ИС

Габаритные размеры ИС

Масса ИС

Степень интеграции

Тип корпуса ИС

Материал корпуса ИС

Условия эксплуатации серии в которую входят заданная ИС

6. СОДЕРЖАНИЕ ОТЧЕТА

1. Название отчета.

2. Цель работы .

3. Содержание пунктов заданий на лабораторную работу и результаты выполнения этих пунктов.

4. Анализ полученных результатов.

ЛИТЕРАТУРА:

1. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Основы микроэлектроники. -М.: Связь,1975.

2. Ефимов И. Е., Горбунов Ю. И., Козырь И. Д. Микроэлектроника, ч.1, 1977, ч.2, 1976. - М.: Высшая школа.

3. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. - М.: Сов. Радио 1980.

4. Микросхемы интегральные. Термины и определения ГОСТ 17021-75

5. Микросхемы интегральные полупроводниковые. Технические термины и определения. ОСТ 2 6КО.070.001-73.

6. Микросхемы интегральные и приборы полупроводниковые. Фотошаблоны и определения. ОСТ П 6КО.070.002-73.

7. Микросхемы интегральные и приборы полупроводниковые, разделение полупроводниковых пластин на кристаллы, технологический процесс.

8. Справочник по интегральным микросхемам. (Под ред. Б .В. Тарабрина. - М. Энергия, 1977.

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 2

"ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК ДЛЯ МИКРОСХЕМ ВАКУУМНЫМ ИСПАРЕНИЕМ"

1.ЦЕЛЬ РАБОТЫ

Изучение технологии получения тонких пленок для микросхем вакуумным испарением.

2.Краткие сведения из теории

Метод термовакуумного испарения твердых материалов с последующей конденсацией их на подложки обеспечивает получение тонких пленок высокого качества до нескольких десятков микрон. Данным методом можно получить тонкие пленки различных материалов: металлических  диэлектриков, полупроводников.

При испарении в вакууме следует соблюдать определенные условия.

Длина свободного пробега молекул газа в откачиваемом объеме, где производится операция испарения, должна быть большой по сравнению с расстоянием между испаряющимся материалом и покрываемым объектом. Если это не соблюдается, то будут происходить многочисленные столкновения между молекулами испаряемого вещества и остаточного газа.

Средняя длина свободного пробега молекул газа определяется формулой:

где; k = 1,38 10-23 - Дж/град - постоянная Больцмана;

T- абсолютная температура газа, °К

d -эффективный диаметр молекулы газа (для воздуха

d=3,7 10-10 м );

ρ- давление газа, Н/М2

Условия для молекулярного потока создаются при длине свободного пробега молекул остаточного газа, в 5...10С раз превышающей размер области переноса паров. Последняя составляет 10...20 см. Следовательно, для обеспечения λ=0,5...2,0 вакуум должен быть не хуже 10-4 ...10-5 мм рт. ст. Однако, это не устраняет возможности загрязнения конденсата молекулами остаточного га за, концентрация которого составляет N = 2 10-17- м-2 для р =10-5 мм рт. ст. Толщина нанесенной пленки обратно – пропорциональна квадрату расстояния между точечным источником паров материала и покрываемым объектом и определяется по формуле:

,

V-скорость испарения материала, м/с ;

t-время испарения, с ;

r-расстояние между испарителем и подложкой, м,

γ-плотность конденсатора, Г/м2.

Концентрация испаряемых атомов примерно в 50 раз у подложки меньше. Только в вакууме около 10-8 мм рт.ст. концентрация молекул остаточного газа будет на порядок меньше концентрации атомов испаряемого вещества. Улучшить отношение концентрации атомов испаряемого вещества концентрации остаточных газов можно и другим путем - увеличив интенсивность молекулярного потока.

В таблице 2. приведены значения скоростей испарения некоторых материалов в единицах массы при температурах, соответствующих давлению паров 10-2- мм рт.ст. Для Cr,  Al Сu, Ni, Au даны температуры сублимации.

Скачать файл