Первый элемент - это цифра, соответствующая конструктивно технологической группе. Цифрами 1,5,7 обозначаются полупроводниковые ИС (обозначение 7 присвоено бескорпусным полупроводниковым ИС). Цифрами 2,4,6,8 обозначаются гибридные ИС. Цифрой 3 обозначают пленочные ИС.
Второй элемент - две-три цифры, присвоенные данной серии как порядковый номер разработки. Полный номер серии составляют первые два элемента (три-четыре цифры).
Третий элемент - две буквы соответствующие группе и виду ИС по характеру выполнения функций в радиоэлектронной аппаратуре.
Примеры условных обозначений функционального назначения приводятся в (8).
Четвертый элемент - порядковый номер разработки ИС по функциональному признаку в данной серии.
В конце условного обозначения ИС могут добавляться буквы, определяющие технологический разброс электрических параметров.
В некоторых сериях буква в конце условного обозначения ИС определяет тип корпуса, а буква "М" - керамический корпус "П."- пластмассовый. Эти дополнительные обозначения оговариваются в технической документации.
Для микросхем, используемых для широкого применения в начале условного обозначения указывается буква "К".
Обозначение принимает вид : К140УД1А. После буквы "К" перед номером серии может указываться буква "М", означающая керамический корпус.
В условном обозначении может добавляться буква "Э", означающая выпуск серии на экспорт. Обозначение принимает вид ЭК561ЛС2. Если серия выпускается в бескорпусном варианте, без присоединения проводников к кристаллу микросхемы, то в условном обозначении добавляется буква "Б" (например: 1- КВ524РП1А-4). Для бескорпусных ИС в условное обозначение через дефис вводится цифра, характеризующая соответствующую модификацию конструктивного исполнения (например: 1 с гибким выводом 2 - с ленточным; 3-с жесткими выводами; 4 - на общей пластине (неразделенные); 5-разделенные наклеенные на пленку, 6-кристаллы с контактными площадками без выводов. Рассмотренное условное обозначение было введено ГОСТом 18682 - 73. Интегральные микросхемы, выпущенные до 1973 года, имеют несколько другое обозначение (второй и третий элементы меняются местами (например: 1ЛБ331)).
3.ПОДГОТОВКА К ВЫПОЛНЕНИЮ РАБОТЫ .
1. Изучить методическое описание лабораторной работы.
2. Ответить на контрольные вопросы.
3. В тетради подготовить бланк отчета по лабораторной работе, который должен содержать :
а) название работы б) цель работы в) табл., г) схему последовательности технологических этапов изготовления полупроводниковых и гибридных ИМС
д.) топологию исследуемой схемы е.) электрическую схему исследуемой ИМС
4.ЗАДАНИЕ НА ЛАБОРАТОРНУЮ РАБОТУ.
1. Расшифровать условное обозначение двух заданных ИС. Зарисовать электрическую схему.
2. Определить конструктивные характеристики заданных ИС (тип корпуса, массу, габариты, степень интеграции и т. д.) Ознакомиться с внешним устройством гибридных и полупроводниковых интегральных микросхем под микроскопом.
5. МЕТОДИЧЕСКОЕ УКАЗАНИЕ К ВЫПОЛНЕНИЮ ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЫ.
Для выполнения п.п.1,2, лабораторного задания необходимо заполнить строки таблицы, пользуясь справочниками по ИС (8) и сведениями ,приведенными в описании лабораторной работы.
При выполнении п.3 лабораторного задания изобразить эскизный чертеж конструкции полупроводниковой и гибридной микросхемы. При анализе результатов сравнить соотношение площадей корпуса и подложки в полупроводниковой и гибридной ИС.
При анализе результатов п. 3 домашнего задания отметить операции выполнения интегрально-групповым методом.
Таблица 1
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.