– универсальность метода, позволяющего изготавливать трафареты для напыления пленок и сеткографии, селективно травить напыленные пленочные слои, вытравливать "окна" в оксидных пленках для создания масок при локальной диффузии, эпитаксии и т.д. ;
– возможность применения групповой технологии, обеспечивающей получение
миллионов элементов интегральных микросхем за одну операцию и на одном виде
оборудования.
Рис 2 Схема типового фотолитографического процесса
ЛИТЕРАТУРА
1. Л.С.Березин, O.Р.Мочалкина, Технология и конструирование интегральных микросхем. Москва, Радио и связь , 1983.
2. Пресс Ф.П. и др. Фотолитография в производстве полупроводниковых приборов.1968
3. Малин Б.Н. Техника изготовления фотошаблонов-трафаретов для производства кремниевых ИС. "Электроника"', ЦНТИ, М., 1972.
4. Иванов-Есинович Н.К. Технология микросхем. М., "Высшая школа" ,1972.
5. Курносов А.И. Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов. М., "Высшая школа",1974.
6. Фото- электроно- и рентгенолитография в производстве интегральных схем. М., ЦНИИ "Электроника",1975.
7. Верховский Е.И. Лазерная технология в производстве интегральных микросхем. М., Высшая школа, 1990.
8. Черняев В.Н. Технология производства интегральных, схем. "Энергия". М.,1977.
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 4
"ИССЛЕДОВАНИЕ ИОННО-ПЛАЗМЕННОГО РАСПЫЛЕНИЯ МАТЕРИАЛОВ"
1. Цель работы
Ознакомление с общими вопросами ионной-плазменной технологии; получение представления об источниках ионов и механизмах, протекающих в результате взаимодействия вещества с плазмой, получение практических навыков при работе на установках катодного распыления, исследование процесса распыления металлов при различных режимах.
2. Подготовка к выполнению работы
2.1. Изучить приложение описания лабораторной работы и рекомендуемую литературу по данному вопросу.
2.2. Изучить задание на лабораторную работу и методические указания к нему.
2.3. В тетради подготовить бланк отчета лабораторной работы, который должен содержать название работы, цель работы и оформленные пункты задания.
3. Задание на лабораторную работу
3.1. Изучить установку УВР-2, принцип ее работы, назначение отдельных узлов к органов управления
3.2. Произвести напыление пленки металла при заданных режимах
3.3. Произвести измерение толщины пленки па микроинтерферометре МИН-4
4. Методические указания
4.1. При работе на установке катодного напыления необходимо помнить и выполнять вес меры предосторожности при работе с высоким напряжением, а именно: не касаться руками и металлическими предметами деталей установки, к которым приложено высокое напряжение. Присоединить все разъемы только к выключенным высоковольтным блокам питания. Перед началом работы проверить, чтобы все переключатели были в выключенном состоянии и ручки регулировки автотрансформаторов были введены в нулевое положение.
Отсоединить разъем высокого напряжения колпака и заземлить его, для чего имеется штырь на стопе установки. Снять защитную сетку. Осторожно, не касаясь металлических частей стеклянного колпака, снять его. Протереть его и металлические части его спиртом. Приготовленную подложку установить на столик. К катоду прикрепить мишень и ручкой "привод" установить требуемое расстояние между подложкой и мишенью (возможно изменение расстояния и в процессе напыления). Стеклянный колпак осторожно установить на место, надеть защитную сетку и подсоединить высоковольтный разъем к контакту колпака. Переключателем "сеть" на пульте управления подать питание. Должна загореться сигнальная лампочка. Включить тумблером "сеть 220 В вакуумметр. ВИТ-1А тумблер "термопарный вакуумметр" поставить в положение "ток накала" и потенциометром "рег. ток накала" установить по нижней шкале прибора "давление мм рт. ст." требуемый ток накала 124 МА, а затем переключить в режим "измерение".
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.