Классификация интегральных микросхем. Исследование ионно-плазменного распыления материалов. Исследование статических передаточных характеристик каскадов на МДП-транзисторов, страница 15

Для напыления нитридов тугоплавких металлов применяют разряд в смеси газов аргон-азот, для получения окислов в смеси аргон-кислород, для карбидов - в смеси аргон-метан и аргон-окись углерода. Электрические свойства пленок зависят от количества примесей и, следовательно, от парциального давления реактивного газа в атмосфере разряда.

Основные особенности и преимущества ионно-плазменного напыления.

1. Ионно-плазменное распыление может быть использовано не только для получения тонких пленок на подложках, но и для ионного травления материалов. При этом подложки, подлежащие травлению, используются в качестве катода. Металлы можно травить при постоянном напряжении, а диэлектрики при ВЧ.

2. При ионном-плазменном напылении упрощается процесс очистки подложки, которая может быть произведена непосредственно в установке ионной бомбардировкой.

3. Распылению подвергается только тот материал, который может быть получен в виде пластины. Это ограничение определяет и преимущество ионного напыления - однородность толщины пленки на подложках больших размеров.

4. Преимуществом метода является разнообразие материалов получаемых пленок - диэлектрик, металл, том числе тугоплавкие, многокомпонентные соединения.

5. Высокие энергии распыленных атомов способствуют улучшению адгезии пленок к подложкам.

6. Для процесса ионно-плазменного напыления характерны невысокие скорости осаждения пленок (обычно менее 5×10-3 - мкм/с). При этом важным условием повышения скоростей напыления является охлаждение мишени.

7. Преимуществом катодного распыления является и то, что подложка в большинстве случаев практически не нагревается. Это позволяет, в частности, металлизировать такие материалы, как бумага, воск и др., весьма чувствительные к нагреву.

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 5

"ТЕХНОЛОГИЯ СВАРКИ И ПАЙКИ МИКРОСХЕМ"

1 ЦЕЛЬ РАБОТЫ.

Изучение технологического процесса сварки и пайки микросхем.

2. ПОДГОТОВКА К ВЫПОЛНЕНИЮ РАБОТЫ И ЕЕ ВЫПОЛНЕНИЕ.

2.1. Изучить приложение описания лабораторной работы и рекомендуемую литературу по данному  вопросу.

2.2: Изучить задание на лабораторную работу и методические указания к нему.

2.3. Получить задание на практическую часть работы и выполнить его.

2.4. В тетради подготовить бланк отчета лабораторной работы, который должен содержать название работы, цель работы, задание на практическую часть, выбранные режимы сварки, схема сварки, эскиз ИС с приваренными выводами.

3. МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ.

Произвести ультразвуковую сварку выводов в микросхеме (по одному выводу должен приварить каждый студент).

Порядок выполнения работы.

3.1. Включение установки:

а) Включить установку тумблером "Сеть" на реле времени при этом должна загореться индикаторная лампочка.

б) Включить ультразвуковой генератор и прогреть его в течение 30 минут.

ПРИМЕЧАНИЕ: Категорически запрещается включать тумблер "нагрев" при ультразвуковой сварке.

3.2. Подготовка к сварке: а) Одеть напальчники и протереть их спиртом.

б) Вставить проволоку в капилляр пинцетом, протертым спиртом.

в) Загнуть коней проволоки.

ПРИМЕЧАНИЕ: Не брать проволоку пальцами без напальников.

г) Выставить время сварки (1...5 с).

д.) Установить на подставке с зажимом микросхему.

ПРИМЕЧАНИЕ: При недостаточном прижатии возможно плохое качество сварки. 

3.3. Сварка.

Подвести капилляр с проволокой к контактной площадке и опустить на площадку.

Нажать на кнопку "Сварка", и по щелчку реле, сигнализирующем об окончании сварки, поднять инструмент на высоту необходимую для переноса на следующую площадку (высота подъема должна быть несколько больше расстояний между площадками).

Если проволока не приварилась, ее необходимо продернуть и вновь произвести сварку.

ВНИМАНИЕ:

Категорически запрещается работать манипулятором при опущенном капилляре. По окончании сварки проволоку обрезать ножницами и вынуть из капилляра.

ЛИТЕРАТУРА:

1. Назаров Т.В., Тревцов Н.В. Сварка и пайка в микроэлектронике. "Сов.радио".М.1969.

2. А.С.Березин, О.Р.Мочалкина. Технология и конструирование интегральных микросхем. Москва. "Радио и связь".1963.