Классификация интегральных микросхем. Исследование ионно-плазменного распыления материалов. Исследование статических передаточных характеристик каскадов на МДП-транзисторов, страница 6

Таблица 2

При соударении атомов паровой фазы вещества с подложкой могут происходить три явления: адсорбция, приводящая к оседанию атомов на подложке; адсорбция с последующим реиспарением и отражение. Отражение обычно имеет небольшую вероятность. Вероятность реиспарения атомов с подложки тем больше, чем выше ее температура и ниже температура испарения вещества.

Адсорбированные атомы должны обладать определенной миграционной способностью на поверхности подложки для получения качественных пленок, которая поддерживается подогревом подложек до температуры 100...300°С.

3. ОБОРУДОВАНИЕ, ПРИСПОСОБЛЕНИЯ МАТЕРИАЛЫ

Для получения тонких пленок компонент микросхем используется вакуумное оборудование, обеспечивающее разряжение под колпаком не хуже           10^-4 – 10^-5 мм рт. ст. Основными устройствами установок вакуумного напыления являются: форвакуумные и диффузионные насосы, подколпачное устройство для напыления, источники питания для испарителей и измерители вакуума.

В качестве испарителей обычно используются танталовые и молибденовые лодочки, алундовые тигли, нагреваемые вольфрамовыми спиралями и др. Испарители должны иметь высокую температуру плавления и испарения, и возможность не образовывать соединений с испаряемым материалом производстве последнее время находят применение испарение материала а счет импульсного нагрева без испарителей.

Получение необходимой конфигурации компонент на подложке в термовакуумном методе наиболее часто достигаемся за счет масок (трафаретов). Кроме того, используется и фотолитографические способы создания рисунка.

Для тонкопленочных компонент микросхем: проводя диэлектрических, резистивных могут использоваться  различные материалы - алюминий, диэлектрических - моноокись и окись кремния, резистивных - тантал, никель-хром, окись олова, керметы.

4. ЗАДАНИЕ

4.1. Изучить установку вакуумного напыления

4.2. Произвести напыление тонкопленочных компонент микросхем и измерить их параметры: поверхностное сопротивление, толщину, емкость. Оценить качество пленок под микроскопом.

5. СОДЕРЖАНИЕ ОТЧЕТА

5.1. Оборудование, материалы, приспособления.

5.2. Режим процесса

5.3. Результаты оценки качества пленок и измерений параметров пленок

5.4. Выводы.

ЛИТЕРАТУРА,

1. Иванов - Есипович Н.К. Технология микросхем. М., "Высшая школа", 1972.

2. Данилин Б.С. Вакуумная техника в производстве интегральных схем. М., "Энергия", 1972.

3. Черняев В.Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров. М., Радио и связь,1987.

4. Технология тонких пленок. Справочник. Под ред. Л.Макселля и Р.Глэнга. Т.1. М. Советское радио, 1977.

5. Установка вакуумного многослойного напыления УВН-2М-1. Техническое описание и инструкция по эксплуатации. Редакция 1-69.

Лабораторная работа №3

"ТЕХНОЛОГИЯ ФОТОЛИТОГРАФИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА"

1.Цель работы

Ознакомление с технологическими операциями нанесения фоторезиста с процессами совмещения, экспонирования в технологии фотолитографии.

2. Подготовка к выполнению работы

2.1. Изучить приложение описания лабораторной работы и рекомендуемую литературу по данному вопросу

2.2. Изучить задание на лабораторную работу и методику проведения эксперимента

2.3. В тетради подготовить бланк отчета лабораторной работы, который должен содержать название работы, цель работы и оформленные пункты задания

3. Задание на проведение эксперимента

3.1. Произвести нанесение фоторезиста на кремниевую пластину по ниже приведенной технологии

3.2. Произвести операции совмещения, экспонирования и проявления фоторезиста