Сущность и особенности проблемы электромагнитного взаимодействия радиоэлектронного оборудования, страница 22

                                                                (3.60)

3.4. Влияние помех на показатели качества функционирования ТКС

Системная оценка качества функционирования РЭС может быть проведена при условии, что показатели качества (ПК) ТКС, по существу, являются  элементами, образующими вектор-функционал (целевая функция) полностью определяющий пространство состояний, в котором находиться рассматриваемое средство. Можно записать, что

                                                     (3.61)

где - n – й РЭС.

В общем случае можно считать, что РЭС имеет  k TTX, т.е. в качестве элементов могут выступать вероятность обнаружения, дальность, точность, коэффициент готовности и т.п.

Скалярное представление (3.61) может быть выражено в виде комплексного показателя качества (КПК) ,определяемого в соответствии с [32] следующим выражением:

где     - количество локальных ПК;

          - весовой коэффициент предпочтительности К-го ЛПК.

Практически - определяется в виде:

                                                                         (3.62)

где      матрица весовых коэффициентов групп ЛПК;

- матрица собственных значений ЛПК.

В общем случае

                                                                     (3.63)

где      - матрица весовых коэффициентов параметров РЭС, входящих в К–групп ЛПК;

 - матрица нормированных значений параметров в РЭС.

                                         (3.64)

где     а , b , . . .d – число параметров РЭС, входящих в соответствующие группы ЛПК, причём a + b + . . . + d = m;

 - значение m – го параметра К – й группы ЛПК, для (3.61)

;

- значение m – го параметра К–й группы ;

- опорное значение m – го параметра К–й группы ;

- соответственно для максимизируемых и минимизируемых параметров.

Подставляя (3.63), (3.64) в (3,62), получаем

                                                                              (3.65)

Очевидно, что воздействия НЭМП адекватно снижению величины , что может быть учтено введением специальной корректирующей матрицы  , оценивающей снижение количественных значений параметров, образующих (3.61), точнее изменение параметров  .

При этом корректирующая матрица может быть получена при определении отношения сигнал/помеха + шум и сравнении его с пороговым. Элементы корректирующей матрицы, безусловно, являются функционально – зависимыми от отношения сигнал/помеха (с/п). Тогда

                                                                     (3.66)

Вводя вспомогательный сомножитель

и подставляя соответствующие значения в (5.5), получаем величину  которая и позволяет произвести комплексную оценку влияния НЕМП на рассматриваемое РЭС.

Кроме этого, используется и другие ПК функционирования РЛС, РНС и радиосвязных систем. Они используются при проведении двух этапов исследования ЭМС. Первый этап традиционно называется этапом исследования качества функционирования РЭС  в сложившейся или прогнозируемой ЭМС, характеризуемой уровнем НЭМП в точке приема в широкой полосе частот. Второй этап характеризуется выработкой организационно – технический рекомендаций и мероприятий по обеспечению ЭМС РЭС.

При условии, что функция полезности РЭС монотонно зависит от вероятности поставленных задач, можно записать, что:

                                                                                              (3.67)

где     - ПК функционирования РЭС и в условиях воздействия НЭМП;

 - вероятность воздействия НЭМП с уровнем выше допустимого;

 -  вероятности решения поставленных задач в условиях воздействия смеси П + Ш или только Ш соответственно.

При выборе единого ПК чаще всего пользуются величиной защитного отношения сигнала/помеха , определяемого из выражения:

                                                                           (3.68)

3.5. Обоснование защитных отношений сигнал/(шум+омеха). В случае обработки аналоговых и цифровых сигналов.

Пусть на типовой ПРМ (рис. 1.7) воздействуют аналоговые сигналы, а огибающая выделяется на линейном детекторе. Тогда входные воздействия запишем в виде: