Засоби технологічного оснащення. Технологічне обладнання. Технологічна оснастка. Пристосування. Інструмент. Верстатні пристосування, страница 9

В – вихідна (явна) база для витримування розміру n

С – вихідна (потайна) база – центр для витримування розміру h

              Розрахунок дійсної похибки базування

При розрахунку дійсного значення поля розсіювання похибок базування виходять із допусків тих розмірів від яких залежить вихідна база при даній схемі базування, тобто дійсна похибка базування рівна полю допуску на номінальний розмір заготовки, якщо вихідна база паралельна напрямку контролюючого розміру.

Е_{б дійсне.}=Т_н.р.

 

Поверхні по яким базуються заготовки мають: плоску, циліндричну рідко конічну форму. Або заготовка може базуватися на декілька поверхонь.

  Розглянемо установки заготовки на різні поверхні

1.  Установка на площину.

ПЕРШИЙ ПРИКЛАД:                                                       

Заготовка базується на площині, потрібно витримати розмір 30_-15

середня точність Δ=0,1мм (по 10 квалітету)

                тоді[ε_б]=Т-Δ =0,15-0,1=0,05мм

Розмір 30_{-0,15 ,} що витримується, зв’язаний з поверхнею М, яка є вихідною базою. Ця база не піднімається і не опускається в процесі обробки, вона опирається на нерухому поверхню (на стіл верстата, або пристосування), тому висота розміру 30_-0,15 буде незмінною, тобто ε_{б дійсне}=0.

Значить заданий розмір можна витримати і виготовити деталь.

ДРУГИЙ ПРИКЛАД

При тих же самих умовах обробки, що в першому прикладі, нам потрібно витримати розмір 20^+0,15, який зв’язаний з верхньою поверхнею N, яка є вихідною базою. При цій схемі базування положення вихідної бази залежить від розміру 50^-0,2

                            ε_{б дійсн}=Т₅₀=0,2,

так як допуск по розміру не змінився і [ε_б]= 0,05мм, тоді, очевидно, що дійсне значення поля розсіювання погрішності базування більше допустимого  ε_{б дійсне}[ε_б] – вийде брак

Що потрібно зробити?

1.  Збільшити допуск по розміру 20.

2.  Зменшити допуск по розміру 50.

3.  Або змінити схему базування, щоб ε_{б дійсне}=0.

4.  Вихідну базу  притиснути до нерухомої опори.

1 клин

2 нерухомий упор

Змінена схема базування

2  Установка на призму

ПЕРШИЙ ПРИКЛАД

Деталь встановлена на призму по зовнішній циліндричній поверхні, де в деталі потрібно профрезувати паз.

Потрібно витримати розмірh

Становище вихідної бази центра С по відношенню до призми (технологічна база – точка О) обумовлюється вектором ОС.

Проектуючи цей вектор на напрямок розміру h, який потрібно витримати, отримуємо

L=MC=OC·cosγ

Із трикутника ОСК знаходимо

ОС=,

де α – кут призми, d – діаметр заготовки.

тоді                           L=

диференціал повний

Δh=-ΔL=

а поле розсіювання похибки базування

ε_{б дійсне =}

де Т_d – допуск по діаметру

Із схеми видно, що ε_{б дійсне} при куті призми α залежить від кута γ, тоді

якщо γ=0                  ε_{б дійсне}=

при γ=45º, α=90º         ε_{б дійсне}=       

При такому розташуванні, при γ=90º - ε_{б дійсне}=0

При γ=0º                        ε_{б дійсне}

При встановленні в самоцентруючи пристосування  (трьохкулачковий патрон, самоцентруючи лещата тощо) центр всіх заготовок, незалежно від діаметра буде займати незмінне положення, тому ε_{б дійсне}=0

ДРУГИЙ ПРИКЛАД

                                                                

Потрібно витримати розмір m

Із Δ ОСМ маємо

СМ=

радіус СА  =

тоді

L=

повний диференціал

ΔL=

а поле розсіювання              ε_{б дійсне =}

якщо cosγ=sin, при α=90º, γ=45º          ε_{б дійсне}=0

при γ=0, α=180º (при установці на площину)ε_{б дійсне}=0

ТРЕТІЙ ПРИКЛАД

Потрібно витримати розмір n

Положеннявихідної бази - точки В – відносно призми обумовлюється   вектором ОВ .Проектуючи по напрямку  розміру n , що витримується, отримаємо

L==

тоді повний диференціал

                                   ΔL=

а поле  розсіювання, відповідне дійсній похибці базування

ε_{б дійсне} 

при γ=0

ε_{б дійсне} =

при γ=0, α=180º    ε_{б дійсне}  = Т_d