Математический маятник |
Груз на пружине |
Электрический контур |
|
Уравнение |
|||
Циклическая |
|||
Инерция |
|||
Жесткость |
В них одинаково описываются вынужденные и затухающие колебания, биения в связанных колебательных системах.
С другой стороны, одномерный фотонный кристалл представляет систему плоскопараллельных пластинок, каждая из которых представляет собой колебательный контур (резонатор Фабри-Перо) для световой волны, подобно тому, как струна – резонатор для поперечной упругой волны, а пустота внутри гитары – резонатор для продольной звуковой волны.
Вне стен физической лаборатории практически невозможно получить и исследовать фотонный кристалл. Напрашивается аналогия его с легко осуществимой цепочкой электрических колебательных контуров, которая образует фильтр в мегагерцовом диапазоне. Однако, оказывается очень трудно построить такой фильтр с несколькими запрещенными и разрешенными полосами.
Объясните принципиальное отличие колебаний в оптической пластинке от колебаний в электрическом контуре.
С какими особыми точками в спектре собственных частот двумерного фотонного кристалла (см. лекцию 15, рис. 15.1) связаны особенности в плотности фотонных состояний.
Получить зависимость нормированной плотности фотонных состояний (см. лекцию 15) одномерного фотонного кристалла от длины волны в интервале 300 – 700 нм:
а) Образец с числом слоев , с толщиной слоев мкм, мкм, с показателями преломления , ;
б) Число слоев в образце , остальные параметры те же, что и для случая а).
в) Структура фотонного кристалла отличается от случая а) лишь появлением в центре кристалла дефектного слоя с мкм. Сравнить плотности фотонных состояний, соответствующие дефектной моде и краям фотонной запрещенной зоны.
Чем обусловлена способность фотонных кристаллов изменять интенсивность излучения зондовых атомов, внедренных в периодическую решетку, в зависимости от частоты внедренного в кристалл диполя и положения его в решетке?
Получить зависимость плотности фотонных состояний ФК от длины волны. Параметры структуры ФК отличаются от соответствующих параметров задачи 3.7.2 лишь изменением на значение .
Показать, что в случае центросимметричных кристаллов нелинейность сред определяется в первом порядке кубической восприимчивостю (кубично-нелинейные среды).
Показать, что при учете кубической нелинейности волновое уравнение в одномерном фотонном кристалле может быть представлено в виде формулы (16.8) лекции 16.
Установить в какую сторону смещается запрещенная зона и дефектная мода в задаче 3.6.14 с увеличением интенсивности излучения, если при этом коэффициент преломления алмаза увеличится на 1%
Получить выражение для трансфер-матрицы (16.13) (лекция 16) модеифицированной для описания влияния керровской нелинейности на прохождение лазерного излучения в одноменых фотонных кристаллах.
Тензор диэлектрической проницаемости холестерического жидкого кристалла (или холестерика) определяется формулой
.
где , – диэлектрические проницаемости для электрического поля соответственно параллельного и нормального единичному вектору (, называемому директором), который задает ориентацию молекул изменяющуюся с изменением по спирали:
, , .
Пространственный период спирали директора .
Определить связь между частотой и волновым вектором электромагнитной волны распространяющейся вдоль оси спирали холестерика.
В реальных холестерических жидких кристаллах различие между и относительно мало
. (1)
В этом случае формулу (17) (см. пример решения задачи 3.8.1) можно упростить
, (2)
Распространению волны в положительном направлении оси соответствуют положительные значения корней этого уравнения. При это корни
, . (3)
Покажите, что в пределе имеются два решения, которые соответствуют право- и лево-циркулярной поляризованным волнам, так как в этом случае или . При конечных эти волны эллиптически поляризованы.
Толщина пленки холестерического жидкого кристалла составляет 25 ( – шаг спирали). Параметры идеальной структуры пленки такие же, как в лекции 17: , , нм. Дефектом структуры жидкого кристалла является локально измененный шаг спирали. Используя полученную в лекции формулу (17.8) для коэффициента отражения при нормальном падении света на образец исследовать в области 400 – 600 нм
а) зависимость коэффициента отражения от длины волны для идеального кристалла;
б) зависимость коэффициента отражения света от холестерика от в случае если шаг спирали в центре пленки увеличен по сравнению с шагом идеальной структуры и равен 1,2 ;
в) зависимотсь коэффициента отражения от для холестерика с двумя одинаковыми дефектами структуры. Рассмотреть случаи, когда расстояние между дефектами, симметрично расположенными относительно центра пленки равно 13 или 15 .
г) Провести анализ полученных результатов в сравнении с результатами лекции 17 и решенной задачи 3.6.16.
При расчетах воспользоваться программой, приведенной при решении задачи 3.6.16 о спектре пропускания слоистой среды с дефектами структуры, адаптировав ее для своих целей.
Если в разложении (2.32) частоты в окрестности можно пренебречь членами второго и высшего порядков, то огибающая лазерного импульса сохраняет свою форму. Рассмотрите случай, когда член второго порядка не является малым и его необходимо учитывать, в то время как членами высшего порядка можно пренебречь:
, (1)
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.