Математический маятник |
Груз на пружине |
Электрический контур |
|
Уравнение |
|
|
|
Циклическая |
|
|
|
Инерция |
|
|
|
Жесткость |
|
|
|
В них одинаково описываются вынужденные и затухающие колебания, биения в связанных колебательных системах.
С другой стороны, одномерный фотонный кристалл представляет систему плоскопараллельных пластинок, каждая из которых представляет собой колебательный контур (резонатор Фабри-Перо) для световой волны, подобно тому, как струна – резонатор для поперечной упругой волны, а пустота внутри гитары – резонатор для продольной звуковой волны.
Вне стен физической лаборатории практически невозможно получить и исследовать фотонный кристалл. Напрашивается аналогия его с легко осуществимой цепочкой электрических колебательных контуров, которая образует фильтр в мегагерцовом диапазоне. Однако, оказывается очень трудно построить такой фильтр с несколькими запрещенными и разрешенными полосами.
Объясните принципиальное отличие колебаний в оптической пластинке от колебаний в электрическом контуре.
С какими особыми точками в спектре собственных частот двумерного фотонного кристалла (см. лекцию 15, рис. 15.1) связаны особенности в плотности фотонных состояний.
Получить зависимость нормированной плотности фотонных состояний (см. лекцию 15) одномерного
фотонного кристалла от длины волны в интервале 300 – 700 нм:
а) Образец с числом слоев , с толщиной слоев
мкм,
мкм,
с показателями преломления
,
;
б) Число слоев в образце , остальные
параметры те же, что и для случая а).
в) Структура фотонного кристалла отличается от случая а) лишь появлением
в центре кристалла дефектного слоя с мкм.
Сравнить плотности фотонных состояний, соответствующие дефектной моде и краям фотонной
запрещенной зоны.
Чем обусловлена способность фотонных кристаллов изменять интенсивность излучения зондовых атомов, внедренных в периодическую решетку, в зависимости от частоты внедренного в кристалл диполя и положения его в решетке?
Получить зависимость плотности фотонных состояний ФК от длины волны.
Параметры структуры ФК отличаются от соответствующих параметров задачи 3.7.2
лишь изменением на значение
.
Показать, что в случае центросимметричных кристаллов нелинейность сред определяется в первом порядке кубической восприимчивостю (кубично-нелинейные среды).
Показать, что при учете кубической нелинейности волновое уравнение в одномерном фотонном кристалле может быть представлено в виде формулы (16.8) лекции 16.
Установить в какую сторону смещается запрещенная зона и дефектная мода в задаче 3.6.14 с увеличением интенсивности излучения, если при этом коэффициент преломления алмаза увеличится на 1%
Получить выражение для трансфер-матрицы (16.13) (лекция 16) модеифицированной для описания влияния керровской нелинейности на прохождение лазерного излучения в одноменых фотонных кристаллах.
Тензор диэлектрической проницаемости холестерического
жидкого кристалла (или холестерика) определяется формулой
.
где ,
– диэлектрические проницаемости для
электрического поля соответственно параллельного и нормального единичному
вектору (
, называемому директором), который
задает ориентацию молекул изменяющуюся с изменением
по
спирали:
,
,
.
Пространственный период спирали директора .
Определить связь между частотой и волновым вектором электромагнитной волны распространяющейся вдоль оси спирали холестерика.
В реальных холестерических жидких кристаллах различие между и
относительно
мало
. (1)
В этом случае формулу (17) (см. пример решения задачи 3.8.1) можно упростить
, (2)
Распространению волны в положительном направлении оси соответствуют положительные значения
корней этого уравнения. При
это корни
,
. (3)
Покажите, что в пределе имеются
два решения, которые соответствуют право- и лево-циркулярной поляризованным
волнам, так как в этом случае
или
. При конечных
эти волны эллиптически поляризованы.
Толщина пленки холестерического жидкого кристалла составляет 25 (
–
шаг спирали). Параметры идеальной структуры пленки такие же, как в лекции 17:
,
,
нм. Дефектом структуры жидкого
кристалла является локально измененный шаг спирали. Используя полученную в
лекции формулу (17.8) для коэффициента отражения при нормальном падении света
на образец исследовать в области 400 – 600 нм
а) зависимость коэффициента отражения от длины волны для идеального кристалла;
б) зависимость коэффициента отражения света от холестерика от в случае если шаг спирали в центре
пленки увеличен по сравнению с шагом идеальной структуры и равен 1,2
;
в) зависимотсь коэффициента отражения от для
холестерика с двумя одинаковыми дефектами структуры. Рассмотреть случаи, когда
расстояние между дефектами, симметрично расположенными относительно центра пленки
равно 13
или 15
.
г) Провести анализ полученных результатов в сравнении с результатами лекции 17 и решенной задачи 3.6.16.
При расчетах воспользоваться программой, приведенной при решении задачи 3.6.16 о спектре пропускания слоистой среды с дефектами структуры, адаптировав ее для своих целей.
Если в разложении (2.32) частоты в
окрестности
можно пренебречь
членами второго и высшего порядков, то огибающая лазерного импульса сохраняет
свою форму. Рассмотрите случай, когда член второго порядка не является малым и
его необходимо учитывать, в то время как членами высшего порядка можно
пренебречь:
, (1)
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.