Физико-химические основы технологии электронных средств. Конспект лекций, страница 14

6) триклинная сингония а₁¹а₂¹а₃;  a¹b¹90^о

7) тригональная сингония а₁=а₂=а₃;  a=b=g¹90^о

К простым типам симметрии относятся еще 3 вида решеток: а) объемно-центрированная; б) гранецентрированная; в) базоцентрированная.

Кристаллические вещества анизотропные, то есть их свойства зависят от кристаллографического направления.

Для описания закономерностей строения кристаллов необходимо знание направления. Так как выбор начала координат в бесконечном кристалле произволен то параллельные прямые описываются одинаковыми символами. Поэтому для задания направления в кристалле достаточно задать координаты любого атома, лежащего на прямой, проходящей через начало координат и данный атом (узел). Координаты узла в трехмерном пространстве по направлениям x, y, z выражаются в длинах единичных базисных векторов: .

Под кристаллографической плоскостью понимают плоскость, проходящую через три узла кристалла, за основу индексации плоскостей понимают длины отрезков отсекаемых плоскостью на осях координат. Длины отрезков отсекаемых плоскостью на осях координат равны n, m и p. От них берутся обратные величины 1/n; 1/m; 1/p которые затем приводятся к наименьшему общему знаменателю S: h/S; k/S; l/S.

Числители полученных дробей являются индексами Миллера и служат для обозначения кристаллографических плоскостей. Они записываются в круглых скобках (h, k, l). Параллельные плоскости, как и направления, имеют одинаковые индексы Миллера. Если плоскость параллельна, какой – либо из координатных осей, то индекс Миллера, соответствующий этой оси, будет равен нулю.

Если в индексах обозначения направления или плоскостей необходим знак «минус», он выносится над нужным индексом .

Структура жидкости.

В газах расстояние между частицами велики и частицы свободны. Взаимодействие сводится к случайным столкновениям.

В жидкостях расстояния уменьшаются, силы взаимодействия растут. Каждая частица размещается в ячейке образованной другими частицами и совершает беспорядочные колебания около временного положения равновесия.

Пусть  - период колебания частицы в жидкости около временного положения равновесия; U – высота потенциального барьера; А – вероятность преодоления потенциального барьера и перехода в новое положение равновесия.

Число подходов к барьеру частицы в единицу времени:

Число возможных переходов частицы из одного равновесного состояния в другое в единицу времени:

Среднее время оседлой жизни молекулы: .

Для простых жидкостей .

В жидкости частицы блуждают по объему этим обусловлено свойство жидкости – текучесть.

При постепенном снижении температуры и достижении температуры кристаллизации жидкость переходит в кристаллическое состояние. В процессе кристаллизации выделяется скрытая теплота плавления, и кристаллизация идет при постоянной температуре.

Если жидкость представляет собой молекулы полимеров процесс отвердения идет отлично от первого процесса. Отвердение происходит по второму графику (Т стеклования). Длинные цепочки молекул в жидкой фазе переплетаются между собой и при температуре стеклования этот факт тормозит переход из жидкой фазы в твердую.

Структура полимеров.

Полиэтилен – остов состоит из атомов углерода, обрамление из атомов водорода.

n – число звеньев в цепи (степень полимеризации).

Если n – мало, то полимер называют – олигомер, если n – высоко, то полимер называют высокополимер. n – колеблется от 1 до .

Существует ряд полимеров, у которых обрамление оформляется из H, F, Cl, OH, COOH, . Полимеры в электронике применяются для обеспечения виброударозащиты, герметизации.

Структуры молекул полимеров: линейные, разветвлённые и сетчатые.

                                 линейная

                                 разветвленная

                                 сетчатая

Введение поперечных сшивок дает возможность создавать полимеры с заданным КТР и тем самым обеспечивать согласование между элементами конструкции и герметизирующим (виброизолирующим) материалом.