Рисунок 11
Влияние поглощенной дозы (2) и размеров частиц (1, 3) на абсолютный РХВ кислот (1, 2) и относительный РХВ карбонилсодержащих соединений (1, 3) в облученных (Д = 5 кГр) кристаллах ксилозы.
Рисунок 2.41
Изменение удельной доли внутренней области кристалла
(1,2) и поверхностного слоя (1΄ 2΄) в зависимости от диаметра частиц.
1, 1΄- для r = 0,001 мм
2, 2΄ - для r = 0,01 мм.
Нами была предпринята попытка оценки геометрических размеров поверхностного слоя кристаллов УВ, степень дефектности которого существенно отличается от таковой , для остального объема кристалла.
Приняв гипотезу о существовании такого слоя, а также предположив, что глубина его постоянна для частиц с разными геометрическими размерами, на основании экспериментальных результатов, представленных на рисунках 2.31, 2.34, 2.38, 2.40 можно утверждать, что его толщина (r ) близка к
r = 0,06/ 2 =0,03 мм.
С другой стороны, используя элементарные геометрические представления и приняв приближение о сферической форме кристаллов (рис. 2.41), для шара диаметром (d) и объемом (VΣ) можно выделить две области : внутреннюю область "идеальной" кристаллической структуры (А), и поверхностный слой (Б) толщиной r. Тогда доля объема внутренней области (δ ) будет определяться формулой 2.31.
δ = VА /VΣ= (d-r/2) 3 / (d /2)3 (2.31)
Долю поверхностного слоя (Б) - (δ') можно соответственно рассчитать по формуле (2.32):
δ' = 1- VА /VΣ = 1 - (d-r/2) 3 / (d /2)3 (2.32) результаты расчета по формулам 2.31 и 2.32 при r равных 0,001 и 0,01 мм, представлены на рис 2.41. Хорошее согласие теоретических кривых и экспериментальных результатов косвенно подтверждает правильность предложенной модели и позволяет утверждать, что толщина дефектного поверхностного слоя в кристаллах УВ близка к 0,01 мм.
Т.о. можно утверждать, что в ОУВ существуют два конкурирующих направления превращений СР, а структурные дефекты выступают в качестве реагента, содержание которого определяет вероятность реализации того или иного пути.
Использование элементарных геометрических представлений о доле поверхностного шарового слоя в общем объеме шара позволило установить, что хорошее согласие с экспериментальными данными достигается при допущении толщины дефектного слоя порядка 0,01 мм.
РАДИАЦИОННАЯ ХИМИЯ ПОЛИМЕРОВ
(Это один из наиболее важных разделов РХ, и важен он, прежде всего, практической востребованностью технологий радиационной модификации П)
Полимеры- это высокомолекулярные твердые вещества с ММ от нескольких тысяч, до нескольких миллионов. В отличие от других твердых веществ, действие ИИ на П, как правило, приводит к улучшению их потребительских свойств.
Так «притчей во языцах» уже стала РХ сшивка ПЭ. В настоящее время изделия из облученного ПЭ выпускаются в США, Японии, Франции, ФРГ и др. Разработаны технологии РХ вулканизации электроизоляционных материалов, получения пенополиэтилена, РХ сшивка ПХВ – изоляции.
Поскольку первичные процессы радиолиза (ионизацию и возбуждение) мы детально рассмотрели в предыдущих разделах, перейдем сразу к специфике РХ полимеров.
Зададимся вопросом: «почему же при облучении П их свойства так существенно меняются?». Для ответа на него достаточно сравнить количество молекул в объеме обычного алкана (ММ –60) и ПЭ (ММ- 6.105). Естественно, что в полимере их в 10 тыс. раз меньше. И, поскольку при одной и той же дозе вероятность повреждения одного и того же количества молекул примерно одинакова, ответ на поставленный вопрос очевиден. Например, при Д=10кГр в алкане РХ превращения притерпевают 0,005% молекул, то в ПЭ – примерно 50%, что, естественно, приведет к существенным изменениям его ф/х свойств.
Основными результатами действия ИИ на П являются два процесса :
СШИВКА и ДЕСТРУКЦИЯ.
Сшивка бывает поперечной и концевой. И та и др. ведут к увеличению ММ.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.