Пульт для проверки СО-72М в режиме RBS, страница 17

Выбираем емкость С_ф = 10 нФ

              (2.2.)

 

Расчет элементов усиления:

Выбираем напряжение эмиттера U_э = 1,5В, так как U_э = (0,1…0.2) U_П  ;

напряжение коллектора рассчитываем по формуле 2.

      (2.3.)

сопротивление коллектора рассчитываем по формуле 2.

   (2.4.)

    

Расчет делителя в цепи базы R₁, R₂

 

Напряжение на базе транзистора :

    (2.5.)

Ток делителя  I_Д = (0,1…0,2) I_К     ~ 1 мА

     (2.6.)     

    

     (2.7.)

        В соответствии с рекомендациями, приведенными выше, выбираем:       С₁ = 20 пФ, С₂ выбираем с ручной настройкой емкостью 3…15 пФ для более точной настройки частоты генерации.

Из условия  Z_L=ω₀L~ 1кОм найдем величину индуктивности L

           (2.8.)            

  

Разделительную емкость С_р выбираем 10 нФ.

2.7. Расчет полосового фильтра

          СВЧ полосковые фильтры являются важной составной частью преобразователей частоты, усилителей мощности, антенно-фидерных устройств и используются как самостоятельные устройства (то есть имеют одинаковые нагрузки) или как согласующие цепи, выполняемые в виде соответствующей фильтровой структуры.

Так как спиральные индуктивности и сосредоточенные конденсаторы не обеспечивают необходимой добротности в сантиметровом диапазо­не длин волн, обычно эти фильтры выполняют из микрополосковых компонент. Для того чтобы учесть влияние технологических допус­ков и температуры, полосы пропускания целесообразно увеличить до 8 или 16 % соответственно. Наиболее часто полосовые фильтры используют на микрополосковых параллельно связанных резонато­рах. Следует отметить, что длину полуволновых резонаторов не­обходимо определять с учетом эффективной диэлектрической проницаемости связанных микрополосковых линий МПЛ.

Кроме того, разомкнутые концы резонаторов имеют краевую ем­кость, для компенсации которой в месте каждого разомкнутого конца МПЛ длина печатного проводника должна быть меньше на величину, равную Δl = 0,34h, где h — толщина диэлектрической подложки.

На  рис.2.11. приведен фильтр на полуволновых разомкнутых резонаторах с четвертьволновыми электромагнитными связями.

  Рис.2.11. фильтр на полуволновых разомкнутых резонаторах с четвертьволновыми электромагнитными связями.

          Типовые частотные характеристики вносимого затухания фильтров с  чебышевской характеристиками представлены на рис.2.12.

Рис.2.12. Частотные характеристики вносимого затухания фильтров с  чебышевской характеристиками

Расчет фильтров с чебышевской характеристикой.

Задаем: максимально-допустимый уровень затухания Аn=1,0 дБ;

волновое сопротивление тракта Z₀=35 Ом;

граничные частоты  f ₁  и  f ₂  полосы пропускания: f ₀  = 930 МГц, Δ f  = 10 МГц отсюда следует что f ₁  = 925МГц и  f ₂  = 935МГц;

диэлектрическая проницаемость подложки ε = 81.

Рассчитываем длину полосок резонаторов по формуле 2. :

   (2.9.)

где λ – длина , ε - диэлектрическая проницаемость подложки, С – скорость света (3*10⁸ м/с).

Подставив значения в формулу 2.9. получим длину полосок резонаторов равную 18мм.

По известному числу резонаторов n и заданному затуханию Аn определяют n+2 вспомогательных коэффициентов g0, g1, g2, g3,…, gn, gn+1, из табл. 2.2

Таблица 2.2      

Коэффициенты g₀=g_n+1 для каждого конкретного фильтра вычисляются по формуле 2.

  (2.10.)

Подставив значения в формулу 2.   получим  g₀=0,17

По известным коэффициентам g_iопределяют коэффициенты k_i в i –й секции связанных полосок по формуле 2.11.

    (2.11.)

где                      (2.12.)

По известным величинам отношения  определяют входное сопротивление  i –й секции связанных полосок по формуле 2.13.

(2.13

                           (2.14.)

По известным величинам Z0, ε и h определяют ширину полоски тракта

СВЧ W0 по (2.19).

По вычисленным коэффициентам связи ki и входному сопротивлению

связанных резонаторов Z0i определяется ширина полосок резонаторов Wi и

зазоров Si.