3.3. Дебаевская длина экранирования
Измеряя вольт-амперные характеристики I(V)малых зондов, помещенных в плазму, Ленгмюр [171] смог установить, что распределение электронов по энергии в плазме — максвелловское в широком диапазоне параметров, даже когда быстрая термализация не может быть объяснена столкновениями между частицами[2]. Соответственно 'плотность пе электронов в плазме связана с потенциалом Vуравнением Больцмана
ne = n0exp(eV/kT),(3.12)
где n0— плотность в толще плазмы, где полагаем V=0. Температура Т выражена в градусах Кельвина, k— постоянная Больцмана.
Рассмотрим для простоты одномерное изменение потенциала, которое существует, например, вблизи поверхности плоского электрода, погруженного в плазму. Запишем уравнение Пуассона
d2V/dx2= - e(ni-ne)/e0, (3.13)
предполагая ионы однократно заряженными. Положим потенциал Vравным нулю глубоко в плазме, где ni=ne=n0. Предположим, что ni- не зависит от потенциала, а ne. определяется выражением (3.12). Тогда получим
d2V/dx2= - en0[1 – exp(eV/kT)]/e0. (3.14)
При eV/kT<<1можно положить exp(eV/kT) = 1+ (eV/kT)и получим линеаризованное уравнение
d2V/dx2 = (n0e2/e0kT) V, (3.15)
решениями которого являются зависимости
V = exp[±(x/λD)]. (3.16)
Здесь
(3.17)
и называется дебаевской длиной экранирования.
Обычно размеры, плазмы >> и положительный знак в (3.16) можно опустить.
Чтобы найти распределение потенциала в окрестности точечного заряда qв плазме, следует записать уравнение (3.14) в сферических координатах, линеаризуя которое при eV/kT<<1, получим
(3.18)
вместо обычной зависимости (q/для потенциала в вакууме.
Как можно видеть, — это расстояние, в пределах которого электростатический потенциал может оказывать сильное влияние на заряженные частицы. В плазме, получаемой в лабораторные условиях, это расстояние обычно составляет 0,01— 1 мм, но в принципе оно может быть произвольным. Наиболее важный критерий того, чтобы ансамбль заряженных частиц можно было назвать плазмой, таков: дебаевская длина должна быть мала по сравнению с размерами плазмы. В разд. 3.2 неявно предполагалось, что электроны — достаточно холодные, так что анодный слой, толщина которого порядка дебаевской длины, является достаточно тонким. Если >а, то могут существовать распределения потенциала подобно кривой g=10g1на рис. 3.1. Удобно записать (3.17) в виде
, (3.19)
поскольку kT/e— электронная температура в электрон-вольтах (эВ) — единицах, обычно используемых в физике плазмы, а е/e0= 1,8∙10-8 В∙м—часто встречающаяся комбинация двух констант. Заметим, что здесь n0— количество электронов в кубическом метре, а измеряется в метрах. В системе единиц, обычно используемой в лабораторных условиях, имеем
(см) = 745[T(эВ)/n0(см-3)]1/2. (3.20)
В сильноточных ионных источниках эВ, n0— порядка 1012 см-3, что дает
2∙10-3 см.
Для описания плазмы, которое проведено в двух предыдущих разделах, характерно примерное равенство плотностей электронов neи ионов niЭлектроны имеют максвелловcкое распределение, т. е. их можно характеризовать температурой.
Вначале можно предположить, что распределение ионов по скоростям также близко к максвелловскому, так что у них тоже есть своя температура, а взаимодействие электронов с ионами приведет к тому, что их температуры — величины одного порядка. Даже если ионная температура существенно выше, поток электронов сквозь любое сечение в плазме настолько больше ионного, что условие примерно одинакового ухода ионов и электронов из плазменного объема приводит к тому, что потенциал плазмы должен быть положительным относительно стенок. В этом случае все ионы, достигающие границы, ускоряются из плазмы вовне. Следовательно, все ионы плазмы, находящиеся от границы на расстояниях вплоть до некоторой длины пробега между столкновениями, движутся наружу, т. е. в направлении ближайшей границы. А это не согласуется с предположением о максвелловском распределении.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.