Все окна: SibGraf 2D , 3D и SibGraf Mapсодержат в своем меню пункт Annotate. Можно создать два типа объектов Annotate: "Line" и "Text". Объекты Annotateсвязаны с реальными координатами X и Y ,а не позицией на рисунке или в окне, и следовательно смещаются относительно окон, когда применяются такие операции, как изменение размера окна или zooming.
Когда выбран пункт "Line" пользователь может построить ломаную линию, состоящую из отдельных линий. Для этого необходимо отметить начало и конец линии, нажимая в соответствующем месте левую кнопку мыши. Нажатие правой кнопки приводит к завершению режима рисования линии. Для модификации линии Annotate выберите линию и нажмите левую кнопку мыши. Затем или всю линию или некоторые из узлов, можно перенести в другое место, удерживая левую кнопку мыши. Щелкните в любом месте графика (за исключением изменяемой линии) и процесс модификации будет завершен.
Если выбрать пункт "Text" , появится окно, в котором пользователь может ввести требуемый текст и выбрать в рамке или без нее, текст будет отображаться на экране.
После нажатия "OK" текст появится в центре графика. Для перемещения текста необходимо сначала щелкнуть на нем левой кнопкой мыши, а затем, удерживая ее перетащить текст в любое место. Если необходимо изменить текст в окне, выберите в меню "Annotate" пункт "Edit". Для ввода изменений щелкните мышкой в любом месте графика. Пользователь может удалить линию или текст, выделив соответствующий объект и выбрав в "Annotate" пункт "Delete".
3.6 Zooming (Увеличение/уменьшение)
Пользователь может воспользоваться увеличением любой части 2D , 3D или Map графика. Для этого необходимо выделить участок на графике с помощью левой кнопки мыши. После того как участок выделен, отпустите левую кнопку, и выделенная часть графика увеличится до полного размера окна. Для возвращения к первоначальному виду можно нажать клавишу "ESC" или воспользоваться пунктом "ZoomOut" в меню "View". В окне SibGraf 2D и SibGraf Mapвы можете вернуться к первоначальному виду, отметив окно, с помощью левой кнопки мыши, вне поля графика.
Моделирование процесса.
4.1 Введение.
Как хорошо известно, аналитические аппроксимации для профилей легирования обычно неадекватно отражают результаты процесса изготовления, особенно для приборов с субмикронными размерами.
Программа SiDif [1], была создана чтобы рассчитывать двумерные профили примесей в элементах СБИС, которые прошли различные шаги процесса изготовления. Процесс изготовления может включать в себя такие шаги, как ионная имплантация или осаждение на поверхность (мышьяка, бора или фосфора) с последующим отжигом в окислительной или инертной среде. Результирующие профили легирования могут быть непосредственно использованы для генерации полных структур полупроводниковых приборов и последующих расчётов ВАХ за несколько минут на PC.
Алгоритм [2] базируется на конечно-разностном методе и прямоугольной сетке. Физическая модель описывает диффузионные процессы вплоть до трёх взаимодействующих заряженных примесей в двумерной области с движущейся границей окисла и сегрегацией примеси на границе Si/SiO2. В случае имплантации начальные профили каждой примеси аппроксимируются известной моделью Рунге [12].
Программа написана на Фортране-77 и может быть выполнена под Windows на IBM-AT/386 или более высокой модели с EGA/VGA/SVGA адаптером.
SiDif использует динамическое распределение памяти и требует 400 Kb для 2500 узлов сетки. Типичный расчёт процесса занимает приблизительно минуту на Pentium-100.
4.2 Физическая модель
Диффузия заряженных примесей происходит под влиянием внешнего электрического поля. Физическая модель для диффузии с учётом влияния заряженных дефектов взята из [4-5].
где
Ck - концентрация k-й примеси,
Dk - коэффициент диффузии,
Zk - зарядовое число,
mk - электрическая подвижность,
q - элементарный заряд,
E - электрическое поле.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.