MicroTec 3.02:Руководство пользователя (МicroTec: Полупроводниковый TCAD калькулятор. Интерфейс пользователя MicroTec. Графика MicroTec: SibGraf), страница 22

Символ

Название

Текущее значение

Единицы измерения

Описание

mn,0

UMNO

1.4*103

2/В*сек

Максимальная подвижность электронов

Sn

SN

350.0

нет

Фактор концентрации легирования для электронов

Nrn

RSN

3.0*1016

см-3

Опорная концентрация легирования электронов

an

ALN

1.54*10-5

см/В

Перпендикулярная составляющая электрического поля для электронов.

Vsn

VSN

1.036*107

см/сек

Скорость насыщения электронов.

Gn

GN

8.8

Нет

Фактор параллельного  электрического поля для электронов.

Vcn

VCN

4.9*106

см/сек

Подгоночный параметр фонной скорости.

mp,0

UMPO

480.0

2/В*сек

Максимальная подвижность  дырок.

Sp

SP

81.0

нет

Фактор концентрации легирования для дырок.

Nrp

RSP

4.0*1016

см-3

Опорная концентрация легирования дырок

an

ALP

5.35*10-5

см/В

Перпендикулярная составляющая электрического поля для дырок.

Vsn

VSP

1.2*107

см/сек

Скорость насыщения дырок.

Gp

GP

1.6

Нет

Фактор параллельного электрического поля для дырок.

Vcp

VCP

2.928*106

см/сек

Подгоночный параметр фонной скорости.

LOMB: Модель поверхностной подвижности Ломбарди

,            ,   

;   .

,

Символ

Название

Текущее значение

Единицы измерения

Описание

B

BN

4.75*107

cм/сек

Подгоночный параметр для перпендикулярного электрического поля.

C0

CON

1.74*105

Подгоночный параметр для перпендикулярного электрического поля и легирующей концентрации.

q

CPON

0.125

нет

Показатель в параметре легирующей концентрации.

m0

UON

52.2

см2/В*сек

Минимальная подвижность дырок.

mmax

UMAN

1.42*103

см2/В*сек

Максимальная подвижность дырок.

m1

ULN

43.3

см2/В*сек

Корректирующая составляющая для концентрации.

Cr

CRN

9.68*1016

см-3

Критическая концентрация легирования

Cs

CSN

3.43*1020

см-3

Критическая концентрация легирования в корректирующей составляющей.

Pc

PCN

0.0

cм/сек

Концентрационная коррекция минимальной подвижности.

a

ALPN

0.68

нет

Показатель в коэффициенте концентрации

b

BETN

2.0

нет

Показатель в коэффициенте коррекции концентрации.

g

GAMN

2.5

нет

Показатель  в температурном коэффициенте.

d

DELN

5.82*1014

В/сек

Параметр акустической составляющей

bsat,n

BESN

2.0

нет

Показатель в скорости насыщения.

nsat,n

VSAN

1.07*107

см/сек

Скорость насыщения.

Аналогичные параметры для дырок( обратите внимание что выражения в этом случае другие)