MicroTec 3.02:Руководство пользователя (МicroTec: Полупроводниковый TCAD калькулятор. Интерфейс пользователя MicroTec. Графика MicroTec: SibGraf), страница 23

Символ

Название

Текущее значение

Единицы измерения

Описание

B

BP

9.93*10⁷

cм/сек

Подгоночный параметр для перпендикулярного электрического поля.

C₀

COP

8.84*10⁵

Подгоночный параметр для перпендикулярного электрического поля и легирующей концентрации.

q

CPOP

3.17*10^-2

нет

Показатель в параметре легирующей концентрации.

m₀

UOP

44.9

см²/В*сек

Минимальная подвижность дырок.

m_max

UMAP

470

см²/В*сек

Максимальная подвижность дырок

m₁

ULP

29

см²/В*сек

Корректирующая составляющая для концентрации.

C_r

CRP

2.23*10¹⁷

См^-3

Критическая концентрация легирования

C_s

CSЗ

6.10*10²⁰

См^-3

Критическая концентрация легирования в коррекционной составляющей.

P_c

PCP

9.23*10¹⁶

См/сек

Концентрационная коррекция минимальной подвижности.

a

ALPP

0.719

нет

Показатель в коэффициенте  концентрации

b

BETP

2.0

нет

Показатель в коэффициенте коррекции концентрации.

g

GAMP

2.2

нет

Показатель  в температурном коэффициенте.

d

DELP

2.05*10¹⁴

В/сек

Параметр акустической составляющей

b_sat,n

BESP

1.0

нет

Показатель в скорости насыщения.

n_sat,n

VSAP

1.07*10⁷

см/сек

Скорость насыщения.

Символ

Название

Текущее значение

Единицы измерения

Описание

m_n,min

UMNM

55.2

Cм²/В*сек

Минимальная подвижность электронов

m_n,max

UMNX

1430

Cм²/В*сек

Максимальная подвижность электронов

N_ref,n

CRFN

1.07*10¹⁷

См^-3

Опорная концентрация примеси для электронов.

E_cmn

ECNM

6.49*10⁴

В/см

Критическое электрическое поле в перпендикулярном электрическом поле для подвижности электронов

n_sat,n

VSTN

1.07*10⁷

См/сек

Скорость насыщения электронов.

n_n

UNN

-2.3

Нет

Нормированный температурный  показатель в числителе для электронов

x_n

XIN

-3.8

Нет

Нормированный температурный показатель в знаменателе для электронов.

a_n

ALPN

0.733

Нет

Показатель концентрации примеси для электронов.

G_surf,n

GSRN

1.0

Нет

Коэффициент уменьшения электронной подвижности в слабом поле.

b_n

BETN

2.0

Нет

Показатель, используемый в зависимой от поля электронной подвижности для параллельного электрического поля.

m_p,min

UMPM

49.7

См²/В*сек

Минимальная подвижность дырок.

m_p,max

UMPX

479

См²/В*сек

Максимальна подвижность дырок.

N_ref,p

CRFP

1.6*10¹⁷

См^-3

Опорная концентрация примеси для дырок.

E_cmp

ECPM

1.87*10⁴

В/см

Критическое электрическое поле в перпендикулярном электрическом поле для подвижности дырок.

n_sat,p

VSTP

1.06*10⁷

См/сек

Скорость насыщения дырок.

x_p

XIP

-3.7

Нет

Нормированный температурный показатель в знаменателе для дырок.

n_p

UNP

-2.2

Нет

Нормированный температурный показатель в числителе для дырок.

a_p

ALPP

0.7

Нет

Показатель концентрации примеси для дырок.

G_surf,p

GSRP

1.0

Нет

Коэффициент уменьшения подвижности дырок в слабом поле.

b_p

BETP

1.0

Нет

Показатель, используемый в зависимой от поля дырочной подвижности для параллельного электрического поля.