|
Наименова-ние |
Значение по умолчанию |
Размерность |
Описание |
|
1 |
2 |
3 |
4 |
|
IB |
1 |
нет |
Переключатель пакетного режима: если IB=1 (по умолчанию), тогда выполнение без отрисовки после каждого шага. |
|
IT |
100 |
нет |
Максимальное количество итераций до решения линейного уравнения. |
|
RS |
10-12 |
нет |
Остаточный критерий сходимости до линейного уравнения. |
|
RL |
10-3 |
нет |
Относительный остаточный критерий до линейного уравнения. |
|
CO |
1012 |
см-3 |
Величина концентрации примеси, принятая фоновой. |
|
PHDE: осаждение напыления фосфора. |
|||
|
XD |
1 |
мкм |
Положение края маски для поверхностного осаждения легирующей примеси. В этом случае поверхность является источником с постоянной концентрацией. Загонка осуществляется в области поверхности от О до XD (если XD положительно) или от XD до XX (осей XD отрицательно). Если XD=0 или опущено, то нет загонки. Если XD больше, чем XX, легирующая примесь осаждается на весь фрагмент поверхности. |
|
CS |
1019 |
см-3 |
Поверхностная концентрация легирующей примеси. Может быть опущена, если XD опущен. |
|
COMM |
‘Comm’ |
нет |
Строка комментарий |
BODE: осаждение бора
Те же параметры, что и в дерективе PHDE
ASDE: осаждение мышьяка.
PHIM: имплантация фосфора.
|
Наимено-вание |
Значение по умолчанию |
Размерность |
Описание |
|
1 |
2 |
3 |
4 |
|
XM |
1 |
мкм |
Позиция края маски. Примесь имплан-тируется через окно от 0 до XM, если XM=0 и от ABS (XM) до XX если XM<0. Для одновременной имплантации по всей области (дамену) XM должна быть много больше, чем XX. становите XM=0 или пропустите, чтобы запретили имплантацию. |
|
DZ |
1012 |
cм-12 |
Доза имплантации (игнорируется, если XM=0) |
|
1 |
2 |
3 |
4 |
|
EN |
40 |
КэВ |
Энергия имплантации |
|
COMM |
‘Comm’ |
нет |
строка комментарий |
BOIM:
ASIM:
OXID: параметры окисления
|
Наименова-ние |
Значение по умолчанию |
Размерность |
Описание |
|
1 |
2 |
3 |
4 |
|
TC |
1000 |
o C |
Температура окисления (стоградусная). |
|
TM |
1000 |
сек |
Время окисления |
|
TAU |
100 |
сек |
Временной шаг - Рекомендуемое значение <30c для температуры 1200oC, 100oC 1100oC, 200c для 1000 oC и 500с для 900oC и меньше. Для точных вычислений на мелкой сетке рекомендуемое значение в 2-10 раз меньше, чем значения выше. Используйте меньшее TAU если количество нелинейных итераций превосходит 7. |
|
XO |
O |
мкм |
Положение маски. Оксид растет в области от 0 до XO, если XO>O и от XO до XX, если XO <O. Чтобы получить однородный оксид, установите XO несколько больше, чем XX. |
|
UO |
0,001 |
мкм |
Начальная однородная толщина окисла влияет на скорость роста окисла. |
|
COMM |
“Comm’ |
нет |
Строка комментария |
|
ANNE: параметры отжига |
|||
|
Имя |
Значение по умолчанию |
Размерность |
Описание |
|
TC |
1000 |
oC |
Температура отжига |
|
TM |
1000 |
сек |
Время отжига |
|
TAU |
100 |
сек |
Шаг по времени. Рекомендуемое значение 30с до 1200оС, 100с до 1100оС, 200с до 1000оС и 500с до 900оС и менее. Для точных вычислений на мелкой сетке рекомендуемое значение в 2-10 раз меньше, чем значения выше. Используйте меньшее TAU, если количество нелинейных итераций превосходит 7. |
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.