В процессе работы транзистора некоторая часть электронов диффундирует в подложку. Чтобы там не создавался объёмный заряд, к подложке подсоединена контактная пластина, которая соединена с истоком для возвращения электронов в исток.
Полевой транзистор с изолированным затвором и с индуцированным каналом – схема его включения представлена на рисунок 3.23.
Рисунок 3.23 – Схема включения МОП транзистора
с индуцированным каналом
Особенностью его конструкции является, как отмечалось, отсутствие физического соединения между истоком и стоком, т.е. в исходном состоянии в этом транзисторе канал отсутствует. Сравнивая с предыдущим транзистором (рисунок 3.22) видно, что напряжения подключены совершенно одинаково. При подключении стокового источника (Ес) между истоком и стоком появляется электрическое поле, которое вызывает движение электронов из истока к стоку. В результате в подложке между истоком и стоком создаётся область с движущимися электронами (показано пунктиром), т.е. создаётся (индуцируется) канал. Из-за очень низкой легированности подложки лишь не значительная часть электронов рекомбинирует. Некоторая часть электронов дифиндирует в подложку, создавая объёмный заряд. Устранение его, как и выше, осуществляется через контактную пластину, соединённую с истоком. В этом транзисторе, как и в рассмотренном выше, имеют место два режима – обеднения и обогащения.
3.3.3 Условные обозначения и схемы включения полевых транзисторов.
На рисунок 3.24 представлены условные обозначения полевых транзисторов с неизолированным затвором.
Рисунок 3.24 – Условное обозначение полевых транзисторов с неизолированным затвором с каналом типа-n (а) и каналом типа-p (б).
Для отображения типа проводимости канала используется стрелка на затворе. Как видно из рисунка, если стрелка смотрит в канал, то это означает, что канал имеет проводимость типа-n. Стрелка на затворе направленная от канала говорит о том, что канал имеет проводимость типа-p. Канал в обозначении полевого транзистора представлен перемычкой между истоком и стоком.
Условные обозначения полевых транзисторов с изолированным затвором и встроенным каналом представлены на рисунок 3.25.
Рисунок 3.25 – Условное обозначение полевых транзисторов с изолированным затвором и встроенным каналом типа-n (а) и типа-p (б).
Из рисунка видно, что затвор не имеет гальванической связи с каналом. При рассмотрении принципа действия полевого транзистора с изолированным затвором было сказано, что подложка соединена с истоком для обеспечения стекания объёмного заряда на исток. Это отображено и в условном обозначении в виде перемычки, на которой размещена стрелка. Направление стрелки говорит о типе проводимости канала - в сторону канала для проводимости типа-n и в сторону от канала для проводимости типа-p.
Условное обозначение для полевого транзистора с изолированным затвором и индуцированным каналом представлены на рисунок 3.26. Как видно, отличие их от условного обозначения для полевого транзистора с встроенным каналом состоит в изображении канала пунктиром.
Рис. 3.26 – Условные обозначения полевых транзисторов с изолированным затвором и индуцированным каналом типа-n (а) и типа-p (б).
Рассмотрим виды включения полевых транзисторов. Как и для биполярных транзисторов, полевые транзисторы включаются так, что один из выводов будет общим для входных и выходных выводов. В результате могут иметь место схемы включения с общим истоком, с общим стоком и с общим затвором. Наиболее распространена схема с общим истоком. На рисунке 3.27 представлены полевые транзисторы без изолированного затвора с каналом типа-n и типа-p, включённые по схеме с общим истоком. При включении полевых транзисторов необходимо правильно указать полярность напряжений между истоком и стоком и на затворе относительно истока.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.