Электронные полупроводниковые приборы, страница 18

Выходные характеристики снимаются с помощью той же схемы (рисунок 3.6). Выходной статической характеристикой биполярного транзистора, включённого по схеме с общим эмиттером называется зависимость тока коллектора I_к от напряжения на коллекторе относительно эмиттера при постоянном значении тока базы:

I_к = f(U_кэ)      при I_б = const

Последовательность снятия выходной В.А.Х. состоит в следующем. В начале устанавливается определённое значение тока базы транзистора путём изменения напряжения на базе. Затем, изменяя напряжение на коллекторе, измеряются значения тока коллектора. Величина напряжения на коллекторе и величина коллекторного тока не должны превышать допустимых предельных значений, указанные в справочнике. Далее устанавливается другое значение тока базы и затем снимается следующая выходная характеристика. Значения тока базы не должны превышать допустимого максимального значения тока базы. Таким образом получается семейство выходных статических характеристик (рисунок 3.8).

Рисунок 3.8 – Семейство выходных статических характеристик биполярного

   транзистора, включённого по схеме с общим эмиттером

При базовом токе равном нулю выходной В.А.Х. не происходит наполнение базы зарядами из эмиттера. Полярность напряжения на коллекторе такова, что коллекторный переход находится под обратным напряжением и коллекторный ток за счёт не основных носителей базы. В результате выходная В.А.Х. представляет собой обратную В.А.Х. p – n перехода. При создании базового тока (I_б2, I_б3) база наполняется основными носителями из эмиттера, что ведёт к уменьшению величины потенциального барьера и уменьшению запирающего слоя коллекторного p – n перехода. Последнее приводит к увеличению коллекторного тока при тех же значениях коллекторного напряжения – зависимости при I_б2 и при I_б3 (рисунок 3.8). Несколько выходных В.А.Х., представленных на одном графике называется семейством выходных характеристик транзистора.

Довольно часто используется включение транзистора по схеме с общей базой (О.Б.). По такой схеме транзисторы включаются, например, в стабилизаторах напряжения и тока. Снятие В.А.Х. биполярного транзистора, включённого по схеме с О.Б. осуществляется с помощью такой же схемы, как и на рисунке 3.6, но транзистор при этом включается по схеме с О.Б. (рисунок 3.9).

Рисунок 3.9 – Схема для снятия В.А.Х. биполярного транзистора,

             включённого по схеме с общей базой

 Назначение элементов аналогичное тому, что в схеме рисунок 3.6.

Входной В.А.Х. транзистора, включённого по схеме с О.Б., называется зависимость тока эмиттера I_э от напряжения на эмиттере относительно базы U_э при постоянном напряжении на коллекторе относительно базы U_к:

I_б = f(U_э)     при U_к = const

Последовательность снятия входных В.А.Х. аналогично ранее рассмотренному. Предварительно устанавливается напряжение на коллекторе передвижением ползунка резистора R₂ (рисунок 3.9), величина которого измеряется с помощью второго вольтметра.

Далее, передвижением ползунка резистора R₁, устанавливаются определённые значения напряжений на эмиттере U_э и для каждого его значения измеряется ток эмиттера I_э первым миллиамперметром. Результаты измерений вносятся в таблицу, по которой строится входная В.А.Х.. Первая В.А.Х. снимается при нулевом напряжении на коллекторе. Не трудно увидеть, что в этом режиме электрические процессы протекают только в эмиттерном переходе,  который находится под прямым напряжением. Очевидно, что вид входной В.А.Х. при U_к = 0 будет полностью совпадать с В.А.Х. p–n перехода при прямом включении (рисунок 3.10).