Рисунок 3.24 Полевой транзистор с неизолированным
затвором
состоит
из канала, который может быть типа-n (рисунок 3.24) или типа-p. К каналу с
обеих сторон подключены контактные пластины, одна из которых является истоком,
а другая стоком. Затвор представляет собой полупроводник, с проводимостью
противоположной проводимости канала, который внедрен в канал и к которому
подсоединена контактная пластина. Особенностью полупроводника затвора является
то, что он легирован больше, чем полупроводник канала. Это значит, что
плотность основных носителей в полупроводнике затвора больше плотности основных
носителей в полупроводнике канала.
На рисунок 3.25 представлена конструкция полевого транзистора с изолированным
затвором и встроенным каналом. На подложке из
Рисунок 3.25 – Полевой транзистор с изолированным
затвором и
встроенным каналом
полупроводника
типа-p, обладающей низким уровнем легирования (низкой плотностью основных
носителей зарядов), расположен полупроводник типа-n, являющийся каналом. К нему
с одной и с другой стороны подключены контактные группы с выводами и
соответствующие истоку и стоку. Затвор представляет собой контактную пластину.
Между затвором и каналом расположен изолятор, выполненный, как уже отмечалось
из окисла. К подложке подключена контактная пластина, назначение которой будет
рассмотрено ниже.
На рисунок 3.26 представлена конструкция полевого транзистора с изолированным
затвором и с индуцированным каналом. По конструкции он
схож с полевым транзистором с встроенным
каналом (рисунок 3.25). Отличается он тем, что у него нет гальванической связи
между истоком и стоком - нет в исходном состоянии в явном виде. Он будет с
индуцирован, т.е. создан во время работы транзистора, о чем будет сказано ниже.
