Электронные полупроводниковые приборы, страница 30


Подпись: p

Контактная пластина

 

канал

 
 


Рисунок 3.24 Полевой транзистор с неизолированным затвором

состоит из канала, который может быть типа-n (рисунок 3.24) или типа-p. К каналу с обеих сторон подключены контактные пластины, одна из которых является истоком, а другая стоком. Затвор представляет собой полупроводник, с проводимостью противоположной проводимости канала, который внедрен в канал и к которому подсоединена контактная пластина. Особенностью полупроводника затвора является то, что он легирован больше, чем полупроводник канала. Это значит, что плотность основных носителей в полупроводнике затвора больше плотности основных носителей в полупроводнике канала.

  На рисунок 3.25 представлена конструкция полевого транзистора с изолированным затвором и встроенным каналом. На подложке из

 

Рисунок 3.25 – Полевой транзистор с изолированным затвором и

               встроенным каналом

полупроводника типа-p, обладающей низким уровнем легирования (низкой плотностью основных носителей зарядов), расположен полупроводник типа-n, являющийся каналом. К нему с одной и с другой стороны подключены контактные группы с выводами и соответствующие истоку и стоку. Затвор представляет собой контактную пластину. Между затвором и каналом расположен изолятор, выполненный, как уже отмечалось из окисла. К подложке подключена контактная пластина, назначение которой будет рассмотрено ниже.

  На рисунок 3.26 представлена конструкция полевого транзистора с изолированным затвором и с индуцированным каналом. По конструкции он

изолятор

 

сток

 

исток

 

Контактная пластина

 

подложка

 

n

 

p

 

затвор

 
схож с полевым транзистором с встроенным каналом (рисунок 3.25). Отличается он тем, что у него нет гальванической связи между истоком и стоком - нет в исходном состоянии в явном виде. Он будет с индуцирован, т.е. создан во время работы транзистора, о чем будет сказано ниже.