При конкретном включении транзистора важно правильно расставить полярность напряжений, прикладываемых к его выводам. Полярности должны быть таковыми, чтобы, как уже говорилось, эмиттерный p–n переход был под прямым напряжением, а коллекторный под обратным. Это легко проверить по схемам включения транзисторов на рисунок 3.4.
Каждая из схем включения обладает своими свойствами. Они отличаются величинами входного и выходного сопротивления, значениями коэффициентов усиления по напряжению, току и мощности, видами входных и выходных вольтамперных характеристик. Каждая схема включения используется для конкретных целей. Так схема с общей базой используется в схемах регулировки напряжения, схема с общим эмиттером используется в усилителях сигнала, с помощью схемы с общим коллектором осуществляется согласование высокоомного источника сигнала с низкоомной нагрузкой для создания условия передачи максимума мощности.
3.2.3 Вольтамперные характеристики биполярного транзистора.
Все виды вольтамперных характеристик биполярного транзистора удобно представить в виде диаграммы рисунок 3.5.
Рисунок 3.5 – Виды вольтамперных характеристик биполярного транзистора
Как видно из рисунке 3.5 все В.А.Х. транзистора подразделяются прежде всего на статические и динамические. Статические характеристики описывают статический режим работы транзистора. Он характеризуется тем, что при изменении тока в коллекторе напряжение на коллекторе остается постоянным. Как отмечалось, каждая схема включения транзистора (рисунок 3.4) характеризуется своими вольтамперными характеристиками. Из трех видов включения транзисторов наиболее широко используется включение по схеме с общим эмиттером.
Все вольтамперные характеристики получают экспериментально. На рисунке 3.6 показана схема для снятия В.А.Х. биполярного транзистора типа p–n–p, включённого по схеме с общим эмиттером.
Рисунок 3.6 – Схема для снятия входных и выходных В.А.Х. биполярного
транзистора, включённого по схеме с общим эмиттером
Назначение элементов на схеме (рисунок 3.6) следующие: с помощью потенциометров R1 и R2 осуществляется изменение напряжений соответственно на базе и на коллекторе относительно эмиттера. Эти напряжения измеряются с помощью вольтметров V1 и V2. Ток базы измеряется с помощью первого миллиамперметра (mA1), а ток коллектора измеряется с помощью второго миллиамперметра (mA2).
Входной вольтамперной характеристикой называется зависимость тока базы Iб от напряжения на базе относительно эмиттера Uбэ при постоянном значении напряжения на коллекторе относительно эмиттера Uкэ.
Для этого с помощью потенциометра R2 устанавливается определенное напряжение, а затем с помощью потенциометра R1 устанавливаются последовательно значения напряжений на базе и для каждого значения измеряется ток базы. По полученным измерениям строится входная В.А.Х. транзистора (рисунок 3.7).
Рисунок 3.7 – Семейство входных В.А.Х. биполярного транзистора,
включённого по схеме с общим эмиттером
Обычно снимаются и строятся несколько В.А.Х. при различных значениях коллекторного напряжения. В результате получается семейство входных В.А.Х. (рисунок 3.7). Первая В.А.Х. строится при коллекторном напряжении равном нулю. В этом случае функционирует только эмиттерный p–n переход. Он находится под прямым напряжением, что обеспечивается полярностью подключения источника U1. Поэтому вид входной В.А.Х. транзистора полностью совпадает с В.А.Х. p–n перехода.
Следующая В.А.Х. снимается при установке на коллекторе с помощью потенциометра R2 напряжения UК1. В этом случае под действием коллекторного напряжения часть носителей (дырок), прошедших из эмиттера в базу, проходят в коллектор. Это приводит к уменьшению числа зарядов, проходящих в базе, т.е. это приводит к уменьшению базового тока. На рисунке 3.7 показано, что при определённом напряжении на базе Uб, токи базы при различных напряжениях на коллекторе различны и их величины убывают с увеличением коллекторного напряжения.
Уважаемый посетитель!
Чтобы распечатать файл, скачайте его (в формате Word).
Ссылка на скачивание - внизу страницы.